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Transistor MOSFET de Potência FQPF12N65C 12N65 650V 12A

Código: 37927 Marca: Fairchild

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Qtde: Comprar Disponibilidade: Imediata Estoque: 40 unidades

O FQPF12N65C da Fairchild Semiconductor é um transistor MOSFET de potência canal N, desenvolvido para aplicações de alta tensão e alta eficiência. Com capacidade de 650V de tensão dreno-fonte (Vds) e 12A de corrente contínua, é amplamente utilizado em fontes chaveadas, inversores, fontes industriais, nobreaks, drivers de potência e conversores DC-DC.

Este MOSFET utiliza tecnologia avançada de silício, proporcionando baixa resistência RDS(on), rápida comutação e menor dissipação de energia, o que resulta em maior eficiência térmica e elétrica do circuito. O encapsulamento TO-220F isolado elimina a necessidade de isoladores adicionais, facilitando a montagem em dissipadores de calor e aumentando a segurança elétrica do projeto.

O FQPF12N65C é indicado para projetos que exigem robustez, confiabilidade e desempenho estável, sendo amplamente empregado em aplicações industriais, automotivas e de automação. A qualidade Fairchild assegura longa vida útil, excelente repetibilidade e conformidade com padrões internacionais do setor eletrônico.

Datasheet oficial (Fairchild / onsemi):
https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/fqpf12n65c-d.pdf

Transistor MOSFET canal N FQPF12N65C Fairchild, 650V 12A, encapsulamento TO-220F isolado, baixa RDS(on), comutação rápida e ideal para fontes chaveadas, inversores, nobreaks e aplicações de potência.

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