O IPB120P04P4L-03 da Infineon Technologies é um transistor MOSFET de potência canal P desenvolvido para aplicações que exigem altíssima corrente, eficiência e confiabilidade. Com encapsulamento TO-220 (PTH – furo passante), proporciona excelente dissipação térmica e robustez, sendo ideal para projetos de alta potência.
Com tecnologia avançada, este MOSFET apresenta baixíssima resistência Rds(on), garantindo menor perda de energia e maior eficiência em aplicações críticas.
O IPB120P04P4L-03 é ideal para projetos que exigem alta densidade de corrente com mínima perda térmica, garantindo maior eficiência energética e durabilidade. Seu encapsulamento TO-220 permite o uso de dissipadores, aumentando a confiabilidade em aplicações exigentes.
Para especificações completas, gráficos e parâmetros detalhados, acesse o datasheet oficial:
🔗 https://www.infineon.com/assets/row/public/documents/10/49/infineon-ipp-b-i120p04p4l-03-datasheet-en.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f783b3b5a2e3f
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