MOSFET IRF3710 100V 57A N-Channel TO-220-3 Infineon

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Transistor MOSFET IRF3710PBF 100V 57A TO-220-3 – Infineon Technologies

🔹 Descrição Otimizada para Loja Virtual e SEO

O IRF3710PBF, fabricado pela Infineon Technologies, é um MOSFET de potência canal N (N-Channel) desenvolvido para aplicações de chaveamento e controle de potência.

Com tensão máxima Drain-Source (VDS) de 100 V e corrente de dreno especificada de até 57 A, o IRF3710 é destinado a aplicações que exigem capacidade de condução de corrente e desempenho adequado em circuitos de potência.

O componente possui encapsulamento TO-220-3, com montagem PTH (Through-Hole), sendo indicado para montagem convencional em placas de circuito impresso e aplicações que podem utilizar dissipação térmica externa.

O IRF3710PBF é utilizado em diferentes aplicações de eletrônica de potência, incluindo fontes de alimentação, conversores, controle de motores, chaveamento de cargas, sistemas automotivos e circuitos de gerenciamento de energia, sempre respeitando os limites elétricos e térmicos especificados pelo fabricante.

🔧 Especificações Técnicas

  • Fabricante: Infineon Technologies

  • Part Number: IRF3710PBF

  • Código do componente: IRF3710

  • Tipo: MOSFET de potência

  • Canal: N-Channel / Canal N

  • Tensão Drain-Source (VDS): 100 V

  • Corrente de Drain (ID): até 57 A, conforme condições especificadas no datasheet

  • Encapsulamento: TO-220-3

  • Número de terminais: 3

  • Montagem: PTH / Through-Hole

  • Tecnologia: Power MOSFET

  • Aplicação: Chaveamento e controle de potência

⚙️ Características

  • MOSFET de potência canal N.

  • Tensão Drain-Source de até 100 V.

  • Corrente de dreno especificada de até 57 A.

  • Encapsulamento TO-220-3.

  • Montagem convencional PTH.

  • Adequado para circuitos de chaveamento.

  • Pode ser utilizado em aplicações de controle de potência.

  • Indicado para diferentes projetos de eletrônica automotiva e industrial, conforme as características do circuito.

📐 Entenda as principais especificações

100 V – VDS

O parâmetro VDS representa a tensão máxima especificada entre o terminal Drain e o terminal Source. O circuito deve operar dentro dos limites definidos pelo fabricante e com margem de segurança apropriada.

57 A – ID

A corrente de dreno de 57 A é especificada sob determinadas condições de teste. Esse valor não deve ser interpretado como uma corrente contínua universal para qualquer montagem.

A corrente efetivamente suportada depende de fatores como temperatura, dissipação térmica, resistência térmica, temperatura de junção, PCB, dissipador e condições de operação.

Canal N

O IRF3710PBF é um MOSFET N-Channel, muito utilizado em circuitos de chaveamento de potência, incluindo configurações low-side.

TO-220-3

O encapsulamento TO-220-3 possui três terminais e permite montagem PTH, além de facilitar a utilização de dissipador térmico quando necessário.

🔌 Aplicações

O IRF3710PBF pode ser empregado em:

  • Fontes de alimentação;

  • Conversores DC-DC;

  • Conversores de potência;

  • Controle de motores;

  • Chaveamento de cargas;

  • Sistemas automotivos;

  • Eletrônica automotiva;

  • Circuitos de gerenciamento de energia;

  • Inversores;

  • Circuitos de potência;

  • Automação industrial;

  • Controle eletrônico de cargas;

  • Sistemas de acionamento.

🔩 Terminais do MOSFET

O dispositivo possui três terminais principais:

G – Gate (Porta)
D – Drain (Dreno)
S – Source (Fonte)

A orientação física e a pinagem devem ser confirmadas no datasheet oficial do IRF3710PBF antes da instalação.

🏷️ Código do Produto

IRF3710PBF

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📦 Conteúdo da Embalagem

  • 1 × Transistor MOSFET IRF3710PBF

  • Fabricante: Infineon Technologies

  • Encapsulamento: TO-220-3

  • Montagem: PTH / Through-Hole

⚠️ Atenção

Os valores de 100 V e 57 A devem ser analisados de acordo com as condições de teste e os limites especificados no datasheet.

A capacidade real de corrente depende da temperatura de operação, dissipação térmica, resistência térmica, PCB, dissipador, temperatura de junção e condições de chaveamento.

Para substituição, compare também RDS(on), tensão de acionamento do Gate, carga de Gate, potência dissipada, características de chaveamento e limites térmicos.

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🔗 Datasheet / Documentação Técnica

Datasheet / documentação IRF3710:
https://www.infineon.com/assets/row/public/documents/24/49/infineon-irf3710-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947

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