O IRF3710PBF, fabricado pela Infineon Technologies, é um MOSFET de potência canal N (N-Channel) desenvolvido para aplicações de chaveamento e controle de potência.
Com tensão máxima Drain-Source (VDS) de 100 V e corrente de dreno especificada de até 57 A, o IRF3710 é destinado a aplicações que exigem capacidade de condução de corrente e desempenho adequado em circuitos de potência.
O componente possui encapsulamento TO-220-3, com montagem PTH (Through-Hole), sendo indicado para montagem convencional em placas de circuito impresso e aplicações que podem utilizar dissipação térmica externa.
O IRF3710PBF é utilizado em diferentes aplicações de eletrônica de potência, incluindo fontes de alimentação, conversores, controle de motores, chaveamento de cargas, sistemas automotivos e circuitos de gerenciamento de energia, sempre respeitando os limites elétricos e térmicos especificados pelo fabricante.
Fabricante: Infineon Technologies
Part Number: IRF3710PBF
Código do componente: IRF3710
Tipo: MOSFET de potência
Canal: N-Channel / Canal N
Tensão Drain-Source (VDS): 100 V
Corrente de Drain (ID): até 57 A, conforme condições especificadas no datasheet
Encapsulamento: TO-220-3
Número de terminais: 3
Montagem: PTH / Through-Hole
Tecnologia: Power MOSFET
Aplicação: Chaveamento e controle de potência
MOSFET de potência canal N.
Tensão Drain-Source de até 100 V.
Corrente de dreno especificada de até 57 A.
Encapsulamento TO-220-3.
Montagem convencional PTH.
Adequado para circuitos de chaveamento.
Pode ser utilizado em aplicações de controle de potência.
Indicado para diferentes projetos de eletrônica automotiva e industrial, conforme as características do circuito.
100 V – VDS
O parâmetro VDS representa a tensão máxima especificada entre o terminal Drain e o terminal Source. O circuito deve operar dentro dos limites definidos pelo fabricante e com margem de segurança apropriada.
57 A – ID
A corrente de dreno de 57 A é especificada sob determinadas condições de teste. Esse valor não deve ser interpretado como uma corrente contínua universal para qualquer montagem.
A corrente efetivamente suportada depende de fatores como temperatura, dissipação térmica, resistência térmica, temperatura de junção, PCB, dissipador e condições de operação.
Canal N
O IRF3710PBF é um MOSFET N-Channel, muito utilizado em circuitos de chaveamento de potência, incluindo configurações low-side.
TO-220-3
O encapsulamento TO-220-3 possui três terminais e permite montagem PTH, além de facilitar a utilização de dissipador térmico quando necessário.
O IRF3710PBF pode ser empregado em:
Fontes de alimentação;
Conversores DC-DC;
Conversores de potência;
Controle de motores;
Chaveamento de cargas;
Sistemas automotivos;
Eletrônica automotiva;
Circuitos de gerenciamento de energia;
Inversores;
Circuitos de potência;
Automação industrial;
Controle eletrônico de cargas;
Sistemas de acionamento.
O dispositivo possui três terminais principais:
G – Gate (Porta)
D – Drain (Dreno)
S – Source (Fonte)
A orientação física e a pinagem devem ser confirmadas no datasheet oficial do IRF3710PBF antes da instalação.
IRF3710PBF
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1 × Transistor MOSFET IRF3710PBF
Fabricante: Infineon Technologies
Encapsulamento: TO-220-3
Montagem: PTH / Through-Hole
Os valores de 100 V e 57 A devem ser analisados de acordo com as condições de teste e os limites especificados no datasheet.
A capacidade real de corrente depende da temperatura de operação, dissipação térmica, resistência térmica, PCB, dissipador, temperatura de junção e condições de chaveamento.
Para substituição, compare também RDS(on), tensão de acionamento do Gate, carga de Gate, potência dissipada, características de chaveamento e limites térmicos.
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Datasheet / documentação IRF3710:
https://www.infineon.com/assets/row/public/documents/24/49/infineon-irf3710-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947
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