O IRLB4030PBF, fabricado pela Infineon Technologies, é um MOSFET de potência canal N (N-Channel) desenvolvido para aplicações de chaveamento e controle de potência que exigem alta capacidade de corrente.
Com tensão VDS de até 100V e corrente de dreno especificada de até 180A, o IRLB4030 é uma solução de potência para circuitos que necessitam de elevada capacidade de condução e baixa resistência de condução, de acordo com as condições especificadas pelo fabricante.
O componente possui encapsulamento TO-220-3, com montagem PTH (Through-Hole), sendo apropriado para placas de circuito impresso e aplicações nas quais o dispositivo pode ser instalado com dissipação térmica adequada.
O IRLB4030PBF é utilizado em aplicações de eletrônica de potência, conversores, fontes de alimentação, controle de motores, chaveamento de cargas, sistemas automotivos e outros circuitos que utilizam MOSFETs de canal N.
Fabricante: Infineon Technologies
Part Number: IRLB4030PBF
Código do componente: IRLB4030
Tipo: MOSFET de potência
Canal: N-Channel / Canal N
Tensão Drain-Source (VDS): 100V
Corrente de Drain (ID): até 180A, conforme condições especificadas no datasheet
Encapsulamento: TO-220-3
Número de terminais: 3
Montagem: PTH / Through-Hole
Tecnologia: Power MOSFET
Aplicação: Chaveamento e controle de potência
MOSFET de potência de canal N.
Tensão máxima Drain-Source de 100V.
Alta capacidade de corrente.
Encapsulamento TO-220-3.
Montagem convencional PTH.
Adequado para aplicações de chaveamento.
Pode ser utilizado em circuitos de controle de potência.
Compatível com diversas aplicações de eletrônica automotiva e industrial, conforme projeto.
100V – VDS
Indica a tensão máxima especificada entre Drain (D) e Source (S) sob as condições estabelecidas pelo fabricante. O projeto deve manter margens adequadas e respeitar todos os limites elétricos do componente.
180A – ID
É a corrente de dreno especificada para determinadas condições de operação. Esse valor não significa que o componente possa conduzir 180A continuamente em qualquer aplicação. Corrente admissível depende de temperatura, dissipação térmica, montagem, temperatura de junção, resistência térmica e condições de operação.
Canal N
O IRLB4030PBF é um MOSFET N-Channel, configuração amplamente utilizada em circuitos de chaveamento de potência, especialmente em aplicações de chaveamento pelo lado baixo (low-side switching).
TO-220-3
O encapsulamento TO-220-3 possui três terminais e facilita a montagem PTH e a utilização de dissipadores de calor quando necessário.
O IRLB4030PBF pode ser utilizado em:
Fontes de alimentação;
Conversores DC-DC;
Conversores de potência;
Controle de motores;
Controladores de motores DC;
Chaveamento de cargas de alta corrente;
Sistemas automotivos;
Eletrônica automotiva;
Sistemas de gerenciamento de energia;
Inversores;
Circuitos de potência;
Automação industrial;
Controle eletrônico de cargas.
O componente possui três terminais principais:
G – Gate (Porta)
D – Drain (Dreno)
S – Source (Fonte)
A pinagem e a identificação física dos terminais devem ser confirmadas no datasheet específico do IRLB4030PBF antes da instalação.
IRLB4030PBF
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1 × Transistor MOSFET IRLB4030PBF
Fabricante: Infineon Technologies
Encapsulamento: TO-220-3
Montagem: PTH / Through-Hole
Os valores de 100V e 180A devem ser interpretados conforme as condições de teste e limites especificados no datasheet. A corrente real admissível em uma aplicação depende principalmente da temperatura, dissipação térmica, resistência térmica, PCB, dissipador e condições de chaveamento.
Para substituição, compare também parâmetros como RDS(on), tensão de Gate, corrente de Gate, potência dissipada, limites de temperatura e características dinâmicas.
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Datasheet – IRLB4030:
https://www.mouser.lt/datasheet/3/70/1/infineon_irlb4030_datasheet_en.pdf?srsltid=AU7gw4XRcDCuNhrLSkjlfkJm4zq8Qqpgb6ctdDvoluenqHKdBM-NGR4Q
Nota: a nomenclatura IRLB4030/IRLB4030PBF aparece em documentação histórica da família International Rectifier, hoje pertencente à Infineon. Para compra e substituição, confira sempre o código completo IRLB4030PBF e a revisão do datasheet correspondente.
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