FDP3632 Fairchild – MOSFET N-Channel 100V 80A Encapsulamento TO-220 PTH

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Descrição Otimizada SEO – MOSFET FDP3632 Fairchild TO-220

O FDP3632, da Fairchild Semiconductor (atualmente ON Semiconductor), é um transistor MOSFET N-Channel de alta performance, projetado para aplicações de potência que exigem elevada corrente e baixa resistência de condução. Com capacidade de operação em 100 V e corrente contínua de até 80 A, o componente oferece excelente eficiência em chaveamento, baixa dissipação de energia e robustez em ambientes industriais e automotivos.

Seu encapsulamento TO-220 (PTH) facilita integração em projetos de fontes chaveadas, inversores, drivers de motores, sistemas de alimentação, conversores DC-DC e carregadores industriais. O MOSFET apresenta RDS(on) reduzido, permitindo menor geração de calor e maior eficiência energética, além de alta velocidade de comutação e performance confiável mesmo sob cargas pesadas.

O FDP3632 é amplamente utilizado em soluções profissionais de eletrônica de potência, oferecendo ótimo custo-benefício e compatibilidade com diversas arquiteturas de projetos.

Principais Características:
• Tipo: MOSFET N-Channel
• Tensão de operação (Vds): 100 V
• Corrente contínua (Id): 80 A
• Encapsulamento: TO-220 / PTH
• Baixo RDS(on), alta eficiência e rápida comutação
• Indicado para: fontes chaveadas, inversores, UPS, motores DC, drivers de potência e sistemas industriais

Datasheet Oficial (ON Semiconductor / Fairchild):
https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/fdp3632-d.pdf


Resumo Curto SEO – FDP3632 Fairchild

MOSFET N-Channel FDP3632 da Fairchild, 100 V e 80 A, encapsulamento TO-220 (PTH). Ideal para fontes chaveadas, inversores, drivers de motor e aplicações de alta potência, com baixo RDS(on), alta eficiência e rápida comutação. Datasheet disponível.

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