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Transistor P75NF75 MOSFET N-Channel 75V 80A TO-220

Código: 11978 Marca: ST

~~R$ 13,00~~ R$ 8,45

Qtde: Comprar Agora Estoque: Disponível

🔌 DESCRIÇÃO DO PRODUTO

O Transistor P75NF75 TO-220 (PTH) corresponde à marcação do STP75NF75, um MOSFET de potência canal N da STMicroelectronics, desenvolvido para aplicações de chaveamento e controle de potência.

O dispositivo pertence à tecnologia STripFET™ II e possui tensão dreno-fonte de 75 V, corrente de dreno contínua de até 80 A (com condições térmicas adequadas) e baixa resistência de condução, sendo indicado para aplicações de alta eficiência e conversão de energia. A ST destaca o componente para uso como chave primária em conversores DC-DC isolados de alta eficiência e alta frequência.

O encapsulamento TO-220 e a montagem PTH (Through-Hole) facilitam sua utilização em placas de circuito impresso e projetos que necessitam de um MOSFET de potência robusto.

🔧 CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS

Produto: MOSFET de potência
Marcação: P75NF75
Part Number: STP75NF75
Marca: STMicroelectronics / ST
Tipo: MOSFET Canal N
Tecnologia: STripFET™ II
Número de canais: 1
Tensão Dreno-Fonte (VDS): 75 V
Corrente de Dreno Contínua (ID): 80 A a TC = 25°C
Corrente de Dreno Pulsada (IDM): 320 A
RDS(on) máx.: 11 mΩ
Tensão Gate-Source (VGS): ±20 V
Tensão de limiar (VGS(th)): aproximadamente 2 V
Carga de Gate (Qg): 117 nC
Dissipação máxima: 300 W a TC = 25°C
Temperatura de junção: -55°C a +175°C
Encapsulamento: TO-220-3 / TO-220AB
Montagem: PTH / Through-Hole
Configuração: Canal N, modo enhancement

Essas características são confirmadas pela documentação da ST e pelos catálogos da Mouser e DigiKey.

Importante: os valores de 80 A e 300 W são limites máximos especificados sob determinadas condições térmicas. Não significa que o componente possa operar continuamente com 80 A ou 300 W em qualquer aplicação. O dimensionamento deve considerar dissipação térmica, temperatura do encapsulamento e condições de operação.

⚡ DESTAQUES DO PRODUTO

MOSFET de potência Canal N;
Tensão máxima de 75 V;
Corrente contínua de até 80 A a 25°C no case;
Baixa resistência de condução, com RDS(on) de até 11 mΩ;
Tecnologia STripFET™ II;
Encapsulamento TO-220;
Montagem PTH / Through-Hole;
Capacidade de operação em altas frequências;
Boa capacidade de dv/dt;
Teste de avalanche realizado em 100% dos dispositivos, segundo a ST.

📄 DATASHEET

Datasheet oficial STMicroelectronics – STP75NF75:
Datasheet STP75NF75 – STMicroelectronics

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