O STP11NM60FD, da STMicroelectronics, é um transistor MOSFET de potência canal N, projetado para aplicações de alta tensão e alta eficiência. Com tensão de dreno-fonte de até 600V e corrente contínua de 11A, este componente é amplamente utilizado em fontes chaveadas, inversores, drivers de motor, PFC ativo, nobreaks, conversores DC-DC e aplicações industriais.
Fabricado com tecnologia MDmesh™ Power MOSFET, o STP11NM60FD oferece baixa resistência RDS(on), excelente desempenho térmico e rápida comutação, reduzindo perdas de energia e aumentando a confiabilidade do circuito. Seu encapsulamento TO-220 PTH (Through Hole) facilita a montagem em placas de circuito impresso e permite o uso eficiente de dissipadores de calor.
Trata-se de uma solução robusta e confiável, amplamente distribuída por grandes fornecedores globais como Mouser Electronics e Digi-Key, sendo indicada tanto para projetos profissionais quanto para manutenção e reparo de equipamentos eletrônicos.
Tipo: MOSFET de Potência
Canal: N-Channel
Tensão Dreno-Fonte (VDS): 600V
Corrente de Dreno (ID): até 11A
Baixa resistência RDS(on)
Tecnologia: MDmesh™
Alta eficiência e rápida comutação
Encapsulamento: TO-220
Montagem: PTH / Through Hole
Fabricante: STMicroelectronics
Fontes chaveadas (SMPS), inversores de tensão, circuitos PFC, nobreaks (UPS), drivers de motores, conversores DC-DC, controles industriais, fontes de alimentação industriais e automotivas.
Datasheet STP11NM60FD – STMicroelectronics:
https://www.st.com/resource/en/datasheet/stp11nm60fd.pdf
O STP11NM60FD da STMicroelectronics é um MOSFET de potência canal N, 600V e 11A, encapsulamento TO-220 PTH, com baixa RDS(on) e alta eficiência. Ideal para fontes chaveadas, inversores, PFC, UPS e aplicações industriais.
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