O STP11NM60FD da STMicroelectronics é um transistor MOSFET de Potência Canal N desenvolvido com a tecnologia SuperMESH™, oferecendo excelente desempenho em aplicações de chaveamento de alta tensão, baixa perda de condução e elevada eficiência energética. Com capacidade para operar em até 600V e corrente de até 11A, este componente é amplamente utilizado em fontes chaveadas, inversores, nobreaks, controladores de potência e equipamentos industriais.
Seu encapsulamento TO-220 (PTH) proporciona excelente dissipação térmica e facilidade de montagem, tornando o STP11NM60FD uma solução confiável para projetos eletrônicos de potência e manutenção profissional.
✅ Modelo: STP11NM60FD
✅ Fabricante: STMicroelectronics
✅ Tipo: MOSFET de Potência Canal N
✅ Tecnologia: SuperMESH™
✅ Encapsulamento: TO-220
✅ Montagem: PTH (Furo Passante)
✅ Tensão Dreno-Source (VDS): 600V
✅ Corrente de Dreno (ID): 11A
✅ Baixa resistência RDS(on)
✅ Alta velocidade de chaveamento
✅ Excelente dissipação térmica
✅ Alta eficiência energética
🔹 Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
🔹 Inversores de tensão
🔹 Nobreaks (UPS)
🔹 Conversores DC-DC
🔹 Controle de potência
🔹 Acionamento de motores
🔹 Equipamentos industriais
🔹 Sistemas de energia renovável
🔹 Carregadores e fontes eletrônicas
🔹 Projetos de eletrônica de potência
✔️ Tecnologia SuperMESH™ para maior eficiência
✔️ Excelente desempenho em alta tensão
✔️ Baixas perdas de condução e comutação
✔️ Ideal para fontes chaveadas e inversores
✔️ Encapsulamento TO-220 com ótima dissipação térmica
✔️ Alta confiabilidade para aplicações industriais
✔️ Produto original STMicroelectronics
✔️ Longa vida útil e estabilidade operacional
📌 01x Transistor MOSFET STP11NM60FD TO-220 (PTH)
Para informações detalhadas sobre características elétricas, curvas de operação, limites máximos e dimensões mecânicas:
🔗 Datasheet Oficial STMicroelectronics:
https://www.st.com/resource/en/datasheet/stp11nm60.pdf
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