IRF530NPBF Transistor MOSFET de Potência 100V 17A Canal N PTH TO-220-3

O Transistor MOSFET IRF530NPBF da Infineon Technologies é um semicondutor de potência do tipo canal N, desenvolvido para aplicações de chaveamento eletrônico e controle de potência em circuitos eletrônicos. Com tensão máxima dreno-fonte de 100 V e corrente de dreno de até 17 A, é uma opção para projetos que exigem eficiência no acionamento de cargas e controle de corrente.

Com encapsulamento TO-220-3 e montagem PTH (Through-Hole), o IRF530N é adequado para placas de circuito impresso com montagem através de furos, facilitando sua instalação em diferentes projetos eletrônicos.

Este componente pode ser utilizado em fontes de alimentação, circuitos de controle de motores, conversores de potência, sistemas de chaveamento e projetos de eletrônica em geral, desde que respeitados os limites elétricos e térmicos especificados no datasheet.

Características e Especificações Técnicas

• Produto: Transistor MOSFET de potência

• Fabricante: Infineon Technologies

• Part Number: IRF530NPBF

• Modelo: IRF530N

• Tipo: MOSFET de canal N

• Tensão máxima dreno-fonte (VDS): 100 V

• Corrente máxima de dreno (ID): 17 A, conforme as condições especificadas pelo fabricante

• Encapsulamento: TO-220-3

• Tipo de montagem: PTH (Through-Hole)

• Aplicação: Chaveamento eletrônico e controle de potência

Principais Aplicações

O MOSFET IRF530NPBF pode ser empregado em diferentes projetos e equipamentos eletrônicos, incluindo:

• Fontes de alimentação chaveadas

• Circuitos de acionamento e controle de motores

• Conversores DC-DC

• Circuitos de chaveamento de potência

• Sistemas de controle eletrônico

• Projetos de automação e eletrônica industrial

• Equipamentos eletrônicos e protótipos

Importante: A corrente máxima suportada depende das condições de operação, da dissipação térmica, da temperatura e da instalação. Consulte o datasheet para verificar os limites de funcionamento e confirmar a adequação do componente ao seu projeto.

Datasheet do Produto

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