Transistor MOSFET IRF630NSTRLPBF – 200V 9,3A – SMD TO-263 / D2PAK-3

O IRF630NSTRLPBF é um transistor MOSFET de potência de canal N, desenvolvido para aplicações em circuitos eletrônicos que exigem chaveamento e controle de cargas elétricas.

Com tensão máxima dreno-source de 200V e corrente nominal informada de até 9,3A, o componente é utilizado em circuitos de potência, fontes de alimentação, conversores e sistemas de controle eletrônico.

Seu encapsulamento TO-263-3 (D2PAK) permite montagem em superfície (SMD), sendo indicado para placas eletrônicas que necessitam de componentes de potência com instalação diretamente na PCB.

O MOSFET de canal N utiliza o controle por tensão no terminal Gate para realizar o chaveamento entre os terminais Drain e Source, permitindo controlar a condução de corrente no circuito.

Características técnicas

• Código informado: IRF630NSTRLPBF

• Identificação relacionada: IRF630NS

• Tipo: Transistor MOSFET de potência

• Canal: N-Channel (canal N)

• Tensão Drain-Source (VDS): 200V

• Corrente Drain (ID): até 9,3A, conforme especificação e condições térmicas

• Encapsulamento informado: TO-263-3

• Padrão de encapsulamento: D2PAK

• Montagem: SMD (Surface Mount Device)

• Aplicação: Chaveamento e controle de potência

Função do MOSFET IRF630NS

O MOSFET IRF630NS funciona como uma chave eletrônica controlada por tensão. Quando recebe o acionamento adequado no terminal Gate, permite a condução de corrente entre Drain e Source.

Esse funcionamento possibilita sua utilização em circuitos de chaveamento, controle de cargas e conversão de energia.

Principais aplicações

• Fontes de alimentação chaveadas

• Conversores DC-DC

• Circuitos de potência

• Controle eletrônico de cargas

• Sistemas de acionamento

• Equipamentos industriais

• Placas eletrônicas

• Manutenção e reparo de circuitos eletrônicos

Vantagens

• Tecnologia MOSFET de canal N

• Capacidade de bloqueio de tensão de até 200V

• Chaveamento eletrônico por acionamento do Gate

• Encapsulamento SMD TO-263 / D2PAK

• Aplicação em circuitos de potência e conversão de energia

Atenção para substituição e instalação

Antes de substituir o componente, confira:

• Tensão máxima Drain-Source (VDS).

• Corrente máxima e condições de dissipação térmica.

• Resistência de condução RDS(on).

• Tensão necessária para acionamento do Gate.

• Pinagem e dimensões do encapsulamento.

• Características de chaveamento e dissipação de potência.

A corrente máxima especificada depende das condições de temperatura, montagem e dissipação térmica da placa. Não utilize apenas a corrente nominal como critério de substituição.

Produto indicado para técnicos em eletrônica, manutenção de placas, reparos de fontes e equipamentos eletrônicos.

Datasheet – IRF630NS

Consultar datasheet IRF630NS (PDF)

Palavras-chave para SEO

IRF630NSTRLPBF, IRF630NS, IRF630, MOSFET 200V, MOSFET 9.3A, transistor MOSFET canal N, transistor de potência SMD, MOSFET TO-263, MOSFET D2PAK, componente eletrônico SMD, transistor para fonte chaveada, MOSFET de potência.

IRF630NSTRLPBF, IRF630NS TRLPBF, IRF630NSTR LPBF, IRF630NST RLPBF, IRF630N STRLPBF, IRF630N S T R L P B F, I R F 6 3 0 N S T R L P B F, IRF630NS, IRF 630NS, IRF 630 NS, IRF630 NS, IRF-630NS, IRF630, F630NS, F 630 NS, 630NS, MOSFET IRF630NS, MOSFETIRF630NS, MOSFET 200V 9.3A, MOSFET200V9.3A, TO263, TO-263, TO263-3, TO-263-3, D2PAK, D2PAK3, D2PAK-3, TRANSISTOR MOSFET CANAL N