O Transistor MOSFET IRFP250M da Infineon Technologies é um MOSFET de potência de canal N desenvolvido para aplicações de chaveamento e controle de potência em circuitos eletrônicos. O componente suporta tensão dreno-source de até 200 V e corrente contínua de dreno de até 30 A a 25 °C.
O IRFP250M utiliza tecnologia de potência da Infineon, oferecendo baixa resistência de condução, alta capacidade de corrente e características adequadas para aplicações que exigem eficiência e robustez no chaveamento de cargas. O RDS(on) máximo especificado é de 75 mΩ com VGS de 10 V.
Com encapsulamento TO-247 e montagem THT/PTH, o componente proporciona boa capacidade de dissipação térmica, sendo indicado para aplicações de potência em que o gerenciamento térmico é um fator importante. O dispositivo possui tensão máxima de gate-source de ±20 V e temperatura de junção de até 175 °C.
O IRFP250M é indicado para aplicações como inversores, fontes chaveadas, controle de motores, iluminação, conversores de potência e outros circuitos que necessitam de um MOSFET N-Channel de alta tensão e corrente.
Datasheet oficial IRFP250M – Infineon Technologies
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