O IRFP4768PBF da Infineon Technologies é um transistor MOSFET de potência Canal N desenvolvido para aplicações que exigem alta eficiência, baixa resistência de condução e excelente desempenho em comutação de potência.
Projetado para operar em circuitos de alta corrente e alta tensão, este MOSFET é amplamente utilizado em fontes chaveadas (SMPS), inversores, nobreaks, controle de motores, equipamentos industriais, conversores DC/DC e sistemas de gerenciamento de energia.
Fabricado no encapsulamento TO-247 (PTH - Pin Through Hole), o IRFP4768PBF oferece excelente dissipação térmica, alta robustez elétrica e confiabilidade operacional, tornando-se uma escolha ideal para projetos profissionais de eletrônica de potência.
✔ Modelo: IRFP4768PBF
✔ Fabricante: Infineon Technologies
✔ Tipo: MOSFET de Potência Canal N
✔ Encapsulamento: TO-247
✔ Montagem: PTH (Pin Through Hole)
✔ Tecnologia HEXFET® Power MOSFET
✔ Baixa resistência RDS(on)
✔ Alta capacidade de corrente
✔ Excelente eficiência de comutação
✔ Ótima dissipação térmica
🔹 Fontes Chaveadas (SMPS)
🔹 Conversores DC/DC
🔹 Inversores de Tensão
🔹 Controle de Motores
🔹 Nobreaks (UPS)
🔹 Equipamentos Industriais
🔹 Sistemas de Energia Solar
🔹 Eletrônica de Potência
📌 01x Transistor MOSFET IRFP4768PBF TO-247 (PTH)
🔗 Datasheet Oficial Infineon:
https://www.infineon.com/dgdl/irfp4768pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563e5e1f1f9b
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