Transistor de Potência IRFZ14PBF TO-220 60V 10A MOSFET Canal N

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O IRFZ14PBF, fabricado pela Infineon Technologies (International Rectifier), é um transistor MOSFET de potência Canal N (N-Channel) desenvolvido para aplicações de chaveamento de alta eficiência. Com tensão máxima de 60V e corrente contínua de 10A, oferece excelente desempenho em circuitos eletrônicos que exigem baixa resistência de condução (RDS(on)), alta velocidade de comutação e elevada confiabilidade.

Seu encapsulamento TO-220-3 PTH (Through Hole) facilita a montagem em placas eletrônicas e permite o uso de dissipadores de calor quando necessário, tornando-o ideal para fontes chaveadas, conversores DC-DC, inversores, acionamento de motores e diversos projetos de potência.

Produzido pela Infineon Technologies, referência mundial em semicondutores, o IRFZ14PBF é uma excelente escolha para manutenção, desenvolvimento e fabricação de equipamentos eletrônicos.

🔧 Especificações Técnicas

Modelo: IRFZ14PBF
Fabricante: Infineon Technologies (International Rectifier)
Tipo: Transistor MOSFET de Potência
Canal: N (N-Channel)
Tensão Dreno-Fonte (VDS): 60V
Corrente Contínua de Dreno (ID): 10A
Baixa resistência RDS(on)
Encapsulamento: TO-220-3
Montagem: PTH (Through Hole)
Conforme padrão RoHS (PBF - Lead Free)

⚙️ Características

MOSFET Canal N de alta eficiência
Baixa resistência em condução (Low RDS(on))
Excelente desempenho em chaveamento
Alta confiabilidade
Fácil instalação em placas PTH
Compatível com dissipadores TO-220
Tecnologia livre de chumbo (RoHS)

🔌 Aplicações

Fontes chaveadas (SMPS)
Conversores DC-DC
Inversores de tensão
Acionamento de motores DC
Controladores PWM
Equipamentos industriais
Projetos eletrônicos de potência
Sistemas automotivos
Nobreaks e inversores
Equipamentos eletrônicos em geral

📄 Datasheet (Ficha Técnica)

Infineon / International Rectifier – IRFZ14PBF:

https://www.infineon.com/assets/row/public/documents/24/49/infineon-irfz14pbf-datasheet-en.pdf

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