O Transistor MOSFET NTMFS4C09NBT1G, da Onsemi, é um MOSFET de potência canal N, projetado para aplicações que exigem alta eficiência, baixa perda de energia e excelente desempenho térmico. Operando com tensão de até 30V e corrente contínua de até 52A, este componente é ideal para fontes chaveadas, conversores DC-DC, gerenciamento de energia, controle de motores e circuitos de alta densidade.
Seu encapsulamento SO-8FL SMD (Surface Mount Device) proporciona melhor dissipação térmica, baixo perfil e compatibilidade com processos automatizados de soldagem, tornando-o uma excelente escolha para projetos modernos e compactos. Além disso, o dispositivo apresenta baixa resistência RDS(on), reduzindo significativamente as perdas por condução e aumentando a eficiência energética do sistema.
Produzido pela Onsemi, referência mundial em semicondutores de potência, o NTMFS4C09NBT1G garante alta confiabilidade, estabilidade elétrica e longa vida útil, atendendo aos padrões exigidos por aplicações industriais, automotivas e comerciais.
Tipo: MOSFET de Potência Canal N
Tensão de Dreno-Fonte (Vds): 30V
Corrente Contínua de Dreno (Id): 52A
Encapsulamento: SO-8FL
Montagem: SMD (Surface Mount)
Baixa resistência RDS(on)
Alta eficiência térmica
Fabricante: Onsemi
Fontes chaveadas
Conversores DC-DC
Reguladores de tensão
Controle de motores
Sistemas de gerenciamento de energia
Equipamentos industriais e eletrônicos embarcados
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