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Transistor SUD19P06-60L-E3 MOSFET Canal P D²PAK 60V 19A

Código: 8994 Marca: Vishay

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📦 DESCRIÇÃO DO PRODUTO

O Transistor MOSFET SUD19P06-60L-E3 (SMD) da Vishay é um MOSFET de Canal P (P-Channel) de alta potência, desenvolvido para aplicações de chaveamento eletrônico e gerenciamento de energia que exigem elevada eficiência, baixa resistência de condução e excelente desempenho térmico. Fabricado com a tecnologia TrenchFET® da Vishay, este componente oferece baixa perda de potência, rápida comutação e alta confiabilidade em aplicações industriais e eletrônicas.

Com tensão máxima Dreno-Source (VDS) de -60V, corrente contínua de até -19A e baixa resistência RDS(on), o SUD19P06-60L-E3 é ideal para fontes chaveadas, conversores DC-DC, controle de motores, gerenciamento de baterias, inversores, equipamentos automotivos e sistemas de alimentação. Seu encapsulamento TO-252 (DPAK / SMD) proporciona excelente dissipação térmica e montagem compacta em placas de circuito impresso (PCB).

Fabricado pela Vishay Intertechnology, referência mundial em semicondutores de potência, este MOSFET garante alta eficiência energética, longa vida útil e excelente desempenho em aplicações de alta corrente.

🔧 CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS

Marca: Vishay
Part Number: SUD19P06-60L-E3
Tipo: Transistor MOSFET Canal P (P-Channel)
Tecnologia: TrenchFET®
Modo de Operação: Enhancement Mode
Tensão Dreno-Source (VDS): -60V
Corrente Contínua de Dreno (ID): -19A
Baixa resistência de condução (Low RDS(on))
Alta velocidade de chaveamento
Baixa dissipação de potência
Excelente desempenho térmico
Encapsulamento: TO-252 (DPAK)
Montagem: SMD / SMT
Produto compatível com RoHS

✅ APLICAÇÕES

Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
Conversores DC-DC
Gerenciamento de energia
Controle de motores CC
Proteção e gerenciamento de baterias
Equipamentos automotivos
Inversores de tensão
Equipamentos industriais
Sistemas embarcados
Carregadores de baterias
Controle de cargas eletrônicas
Placas de circuito impresso (PCB)

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