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MOSFET de Potência NTBV45N06LT4G 60V 45A TO-263-3 D2PAK

Código: 10105 Marca: Onsemi

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🔌 DESCRIÇÃO DO PRODUTO

O Transistor MOSFET NTBV45N06LT4G TO-263-3 (SMD), da onsemi, é um MOSFET de potência canal N (N-Channel) desenvolvido para aplicações de chaveamento e controle de potência. O componente suporta 60 V entre dreno e fonte e corrente contínua de dreno de até 45 A, apresentando RDS(on) máximo de 28 mΩ.

O NTBV45N06LT4G utiliza encapsulamento D2PAK-3 / TO-263-3, adequado para montagem SMD/SMT em placas de circuito impresso. A série NTB45N06L também apresenta baixa resistência de condução e capacidade de corrente elevada, características importantes para circuitos de potência e chaveamento.

🔧 CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS

Produto: Transistor MOSFET de potência
Marca: onsemi
Part Number: NTBV45N06LT4G
Série: NTB45N06L
Tipo: N-Channel
Tecnologia: MOSFET de silício
Tensão Dreno-Fonte (VDSS): 60 V
Corrente contínua de dreno (ID): 45 A @ 25 °C
Corrente contínua de dreno a 100 °C: 30 A
Corrente de dreno pulsada (IDM): 150 A
RDS(on) máximo: 28 mΩ
Tensão Gate-Source: até ±15 V contínuos
Tensão Gate-Source não repetitiva: até ±20 V
Energia de avalanche: 240 mJ
Dissipação de potência: até 125 W, conforme condições térmicas
Temperatura de junção: -55 °C a +175 °C
Encapsulamento: D2PAK-3 / TO-263-3
Número de terminais: 3
Montagem: SMD / SMT
Qualificação: AEC-Q100, conforme a listagem da Mouser.

⚡ DESTAQUES DO PRODUTO

O NTBV45N06LT4G combina alta capacidade de corrente, tensão de 60 V e baixa resistência de condução, sendo indicado para circuitos que exigem chaveamento eficiente de cargas e controle de potência.

MOSFET canal N;
Tensão máxima de 60 V;
Corrente contínua de até 45 A;
RDS(on) de 28 mΩ;
Alta capacidade de corrente pulsada;
Encapsulamento TO-263-3 / D2PAK-3;
Montagem SMD/SMT;
Adequado para circuitos de chaveamento e potência;
Indicado para aplicações automotivas e industriais conforme especificação do componente.

📄 DATASHEET

Datasheet oficial – onsemi NTB45N06L / NTBV45N06L:
Datasheet NTB45N06L – onsemi

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