RFP45N06 – Transistor MOSFET de Potência 45A 60V TO-220

Código: 13836 Marca:
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Transistor MOSFET RFP45N06 60V 45A N-Channel TO-220 PTH

O RFP45N06 é um transistor MOSFET de potência canal N (N-Channel) da linha de semicondutores da onsemi, desenvolvido para aplicações de chaveamento e controle de potência. O dispositivo possui tensão Drain-Source de 60 V, corrente contínua de dreno de até 45 A e baixa resistência de condução, com RDS(on) máximo de 28 mΩ nas condições especificadas de acionamento.

Com encapsulamento TO-220AB / TO-220-3, o RFP45N06 é adequado para montagem Through Hole (PTH) e aplicações que exigem um MOSFET de potência para controle e chaveamento de cargas.


📋 ESPECIFICAÇÕES TÉCNICAS

  • Modelo: RFP45N06
  • Fabricante: onsemi
  • Tipo: MOSFET de potência
  • Canal: N-Channel
  • Tensão Drain-Source (VDSS): 60 V
  • Corrente contínua de Drain (ID): 45 A
  • RDS(on) máximo: 28 mΩ
  • Condição de RDS(on): VGS = 10 V / ID = 45 A
  • Tensão Gate-Source máxima: ±20 V
  • Carga de Gate (Qg): até 150 nC
  • Dissipação de potência: 131 W
  • Temperatura de junção: -55 °C a +175 °C
  • Encapsulamento: TO-220-3 / TO-220AB
  • Montagem: Through Hole (PTH)
  • Configuração: MOSFET único

As especificações de 60 V, 45 A, 28 mΩ e TO-220-3 são confirmadas no cadastro da DigiKey para o RFP45N06.


🔧 CARACTERÍSTICAS

  • MOSFET de potência N-Channel
  • Tensão Drain-Source de até 60 V
  • Corrente contínua de até 45 A
  • Baixa resistência de condução de 28 mΩ
  • Encapsulamento TO-220
  • Montagem PTH / Through Hole
  • Adequado para chaveamento de cargas de potência
  • Alta capacidade de condução de corrente
  • Indicado para aplicações de conversão e controle de energia
  • Tecnologia MOSFET de potência

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