Lista de Desejos

RFP30N06LE – Transistor MOSFET de Potência 30A 60V TO-220

Código: 13827 Marca: Fairchild

~~R$ 15,00~~ R$ 9,75

Qtde: Comprar Agora Estoque: Disponível

Transistor MOSFET RFP30N06LE 60V 30A N-Channel TO-220 PTH

O RFP30N06LE é um transistor MOSFET de potência canal N (N-Channel) da Fairchild Semiconductor, desenvolvido para aplicações de chaveamento e controle de potência. O componente possui tensão Drain-Source de 60 V, corrente de dreno contínua de até 30 A e resistência de condução de apenas 47 mΩ, proporcionando baixa perda por condução em aplicações de potência.

O dispositivo utiliza tecnologia Logic Level, permitindo seu acionamento diretamente por circuitos integrados e outros circuitos de controle apropriados. Seu encapsulamento TO-220AB é adequado para montagem Through Hole (PTH) e facilita a dissipação térmica em aplicações de maior potência.

📋 ESPECIFICAÇÕES TÉCNICAS

Modelo: RFP30N06LE
Fabricante original: Fairchild Semiconductor
Tipo: MOSFET de potência
Polaridade: N-Channel
Tensão Drain-Source (VDS): 60 V
Corrente de dreno contínua (ID): 30 A
RDS(on): 47 mΩ
Tecnologia: Logic Level
Proteção ESD: 2 kV
Número de canais: 1
Encapsulamento: TO-220AB
Montagem: Through Hole (PTH)
Material: Silício
Diodo interno Source-Drain: Sim

A documentação da Fairchild especifica o RFP30N06LE como MOSFET N-Channel de 30 A / 60 V, com RDS(on) de 0,047 Ω e proteção ESD de 2 kV.

🔧 CARACTERÍSTICAS

MOSFET de potência N-Channel
Tensão máxima Drain-Source de 60 V
Corrente de dreno de até 30 A
Baixa resistência de condução de 47 mΩ
Tecnologia Logic Level
Proteção contra descarga eletrostática de 2 kV
Encapsulamento TO-220AB
Montagem PTH / Through Hole
Pode ser acionado diretamente por circuitos integrados adequados
Indicado para aplicações de chaveamento de potência

🔎 PALAVRAS-CHAVE SEO

RFP30N06LE, RFP30N06LE 30N06, RFP30N06LE MOSFET, MOSFET RFP30N06LE, transistor MOSFET 60V 30A

RFP30N06LE RFP30N06LE RFP30N06LE RFP30N06LE RFP30N06LE RFP30N06LE RFP30N06LE RFP30N06LE RFP30N06LE