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RFP3N50 – Transistor MOSFET de Potência TO-220

Código: 13838 Marca: Onsemi

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Transistor MOSFET RFP3N50 500V 3A N-Channel TO-220 PTH

O RFP3N50 é um transistor MOSFET de potência canal N (N-Channel), desenvolvido para aplicações de chaveamento e controle de potência. O componente possui tensão máxima Drain-Source de 500 V, corrente contínua de dreno de até 3 A e resistência de condução de aproximadamente 3 Ω.

O dispositivo utiliza tecnologia silicon-gate enhancement mode e encapsulamento JEDEC TO-220AB, adequado para montagem Through Hole (PTH). A família RFP3N50 foi desenvolvida para aplicações como fontes chaveadas, conversores, acionamento de motores e drivers de relés.

📋 ESPECIFICAÇÕES TÉCNICAS

Modelo: RFP3N50
Código de marcação: 3N50
Tipo: MOSFET de potência
Canal: N-Channel
Modo: Enhancement Mode
Tensão Drain-Source (VDSS): 500 V
Corrente contínua de Drain (ID): 3 A
Corrente pulsada de Drain (IDM): 5 A
RDS(on): 3 Ω
Tensão Gate-Source máxima: ±20 V
Dissipação de potência: 60 W @ TC = 25 °C
Temperatura de operação/armazenamento: -55 °C a +150 °C
Encapsulamento: TO-220AB
Montagem: Through Hole (PTH)
Configuração: MOSFET N-Channel único

Os valores de 500 V, 3 A, 3 Ω e encapsulamento TO-220AB constam na documentação histórica específica do RFP3N50.

🔧 CARACTERÍSTICAS

MOSFET de potência N-Channel
Tensão Drain-Source de até 500 V
Corrente contínua de até 3 A
Resistência RDS(on) de aproximadamente 3 Ω
Tecnologia Enhancement Mode
Alta impedância de entrada
Chaveamento em alta velocidade
Baixa potência necessária para acionamento do gate
Encapsulamento TO-220AB
Montagem PTH / Through Hole
Indicado para circuitos de chaveamento e conversão de energia

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