O RFP3N45 é um transistor MOSFET de potência canal N (N-Channel), desenvolvido para aplicações de chaveamento e controle de potência. O dispositivo possui tensão máxima Drain-Source de 450 V, corrente contínua de dreno de até 3 A e resistência de condução de aproximadamente 3 Ω, sendo indicado para circuitos de potência e conversão de energia.
O componente utiliza tecnologia silicon-gate enhancement mode e encapsulamento TO-220AB, adequado para montagem Through Hole (PTH). Sua arquitetura foi desenvolvida para aplicações que exigem chaveamento rápido e baixo consumo de potência no acionamento do gate.
Os valores de 450 V, 3 A, RDS(on) de 3 Ω, ±20 V de VGS e encapsulamento TO-220AB constam na documentação técnica do RFP3N45.
O RFP3N45 foi desenvolvido para aplicações como:
A documentação do componente cita especificamente switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers e drivers para transistores bipolares de alta potência.
Datasheet RFP3N45 / RFP3N50 – documentação técnica:
Datasheet RFP3N45 – RFM3N45/RFP3N45
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