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RFP4N05L – Transistor MOSFET de Potência 4A 50V TO-220

Código: 13840 Marca: Onsemi

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Transistor MOSFET RFP4N05L 50V 4A N-Channel TO-220 PTH

O RFP4N05L é um transistor MOSFET de potência canal N (N-Channel), desenvolvido para aplicações de chaveamento e controle de potência. O dispositivo possui tensão Drain-Source de 50 V, corrente contínua de dreno de até 4 A e resistência de condução de até 0,8 Ω.

O componente utiliza tecnologia Logic Level, sendo otimizado para acionamento com tensão de gate de 5 V. Seu encapsulamento TO-220AB permite montagem Through Hole (PTH) e facilita sua utilização em circuitos de potência que necessitam de dissipação térmica adequada.

📋 ESPECIFICAÇÕES TÉCNICAS

Modelo: RFP4N05L
Tipo: MOSFET de potência
Canal: N-Channel
Modo: Enhancement Mode
Tensão Drain-Source (VDS): 50 V
Corrente contínua de Drain (ID): 4 A
RDS(on) máximo: 0,8 Ω
Tensão de acionamento: Logic Level
Gate Drive otimizado: 5 V
Tensão Gate-Source: ±10 V
Tensão de limiar (VGS(th)): 1 a 2 V
Dissipação de potência: 25 W
Temperatura de operação: -55 °C a +150 °C
Encapsulamento: TO-220AB
Montagem: Through Hole (PTH)
Configuração: MOSFET único

Os valores de 50 V, 4 A, RDS(on) de 0,8 Ω, gate de ±10 V e dissipação de 25 W são especificados na documentação técnica do RFP4N05L.

🔧 CARACTERÍSTICAS

MOSFET de potência N-Channel
Tecnologia Logic Level
Otimizado para acionamento com 5 V no Gate
Tensão Drain-Source de até 50 V
Corrente contínua de até 4 A
RDS(on) máximo de 0,8 Ω
Alta impedância de entrada
Baixa potência necessária para acionamento do Gate
Capacidade de chaveamento em alta velocidade
Encapsulamento TO-220AB
Montagem PTH / Through Hole
Compatível com circuitos de acionamento apropriados e aplicações automotivas.

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