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Transistor Bipolar MJE350 PNP 300V 500mA TO-126 PTH

Código: 13561 Marca: STMicroelectronics

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🔵 Transistor PNP MJE350 300V 0,5A SOT-32-3 (TO-126) PTH – STMicroelectronics

O MJE350 da STMicroelectronics é um transistor bipolar PNP de silício de média potência, desenvolvido para aplicações lineares e de chaveamento em circuitos eletrônicos. O componente suporta tensão coletor-emissor de até 300 V e corrente de coletor de até 500 mA, sendo indicado para aplicações que exigem alta tensão de operação em um transistor PNP compacto.

O MJE350 utiliza encapsulamento SOT-32, também identificado como TO-126, com montagem Through Hole (PTH). É utilizado em equipamentos industriais, circuitos de amplificação, drivers e aplicações de chaveamento de média potência. A STMicroelectronics classifica o MJE350 como transistor PNP de média potência e mantém o componente em produção.

🔧 Características Técnicas

Fabricante: STMicroelectronics
Part Number: MJE350
Tipo: Transistor Bipolar (BJT)
Polaridade: PNP
Tecnologia: Silício
Tensão Coletor-Base (VCBO): 300 V
Tensão Coletor-Emissor (VCEO): 300 V
Tensão Emissor-Base (VEBO): 3 V
Corrente máxima de coletor (IC): 500 mA
Dissipação de potência (PTOT): 20,8 W
Ganho de corrente DC (hFE): 30 a 240
Tensão de saturação coletor-emissor (VCE(sat)): até 0,5 V
Temperatura máxima de junção: 150 °C
Configuração: Transistor único
Montagem: Through Hole / PTH
Encapsulamento: SOT-32 / TO-126
Número de terminais: 3

Os valores de 300 V, 500 mA, 20,8 W e hFE de 30 a 240 são especificados no datasheet oficial da STMicroelectronics.

📄 Datasheet

Datasheet oficial STMicroelectronics – MJE340 / MJE350

🔗 Datasheet em PDF: https://www.st.com/resource/en/datasheet/mje350.pdf

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