O Transistor MOSFET SW10N65 TO-220 é um MOSFET de potência de canal N (N-Channel) desenvolvido para aplicações de chaveamento e controle de potência em circuitos eletrônicos.
O componente possui tensão máxima dreno-source de 650 V e corrente de dreno contínua de até 10 A, conforme as condições especificadas no datasheet. Sua tecnologia VDMOS proporciona características adequadas para aplicações que exigem alta tensão, chaveamento rápido e boa robustez.
O SW10N65 apresenta RDS(on) máximo de 1,1 Ω a VGS = 10 V, carga de gate típica de 47 nC e capacidade aprimorada de dv/dt. O componente também é especificado como 100% testado para avalanche, contribuindo para maior robustez em aplicações de chaveamento.
Com encapsulamento TO-220 de 3 terminais, o SW10N65 é adequado para montagem PTH (Through-Hole) e aplicações como fontes chaveadas, circuitos ressonantes, eletrônica de potência e equipamentos que necessitam de MOSFET de alta tensão.
O SW10N65 pode ser utilizado em:
Datasheet SW10N65 – SAMWIN / SEMIPOWER:
Datasheet SW10N65
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