Transistor FQB9N50C MOSFET N-Channel 500V Encapsulamento TO-263-3

Código: 3771 Marca:
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MOSFET FQB9N50C SMD TO-263-3 – Canal N 500V 9A – Fairchild Semiconductor

O FQB9N50C é um transistor MOSFET de potência canal N, projetado para aplicações que exigem alta tensão, eficiência e confiabilidade. Fabricado pela Fairchild Semiconductor (atualmente parte da ON Semiconductor), este componente é amplamente utilizado em fontes chaveadas (SMPS), inversores, drivers e circuitos de potência.

Com capacidade de até 500V e 9A, o FQB9N50C apresenta baixa resistência RDS(on), proporcionando menor dissipação de calor e melhor desempenho energético. Seu encapsulamento SMD TO-263-3 (D2PAK) permite montagem em superfície com excelente dissipação térmica, ideal para projetos compactos e robustos.


🔧 Características Técnicas

  • Tipo: MOSFET de potência
  • Canal: N (N-Channel)
  • Modelo: FQB9N50C
  • Encapsulamento: TO-263-3 (D2PAK) SMD
  • Tensão dreno-source (Vds): 500V
  • Corrente de dreno (Id): 9A
  • Baixa RDS(on) para maior eficiência
  • Alta velocidade de comutação
  • Excelente desempenho térmico

⚙️ Aplicações

  • Fontes chaveadas (SMPS)
  • Inversores de tensão
  • Drivers de potência
  • Equipamentos industriais
  • Controle de motores
  • Conversores DC-DC

📦 Benefícios

  • Alta eficiência energética
  • Ideal para aplicações de alta tensão
  • Componente robusto e confiável
  • Encapsulamento SMD com ótima dissipação térmica
  • Excelente custo-benefício para projetos e manutenção

📄 Datasheet (Ficha Técnica)

🔗 https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/fqb9n50c-d.pdf


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