O IRF6217TRPBF da Infineon Technologies é um MOSFET de potência de canal P, desenvolvido para aplicações de chaveamento eletrônico e controle de energia em circuitos eletrônicos. Baseado na tecnologia HEXFET®, o componente permite controlar a passagem de corrente por meio do acionamento do terminal gate, sendo indicado para circuitos de alimentação e gerenciamento de potência.
Com tensão dreno-fonte de até -150 V e corrente contínua de dreno de até -700 mA, o IRF6217TRPBF é adequado para aplicações que exigem chaveamento de cargas e controle de tensão em circuitos eletrônicos. Sua resistência de condução contribui para o desempenho do circuito dentro das condições especificadas pelo fabricante.
O encapsulamento SOIC-8 para montagem em superfície (SMD/SMT) facilita a integração em placas de circuito impresso compactas, sendo utilizado em fontes de alimentação, conversores de potência e sistemas de controle eletrônico.
Produto: Transistor MOSFET de potência
Fabricante: Infineon Technologies
Código do componente: IRF6217TRPBF
Tecnologia: HEXFET®
Tipo de canal: P-Channel
Número de canais: 1
Tensão dreno-fonte (VDS): -150 V
Corrente contínua de dreno (ID): -700 mA a 25 °C, conforme condições especificadas
Resistência de condução (RDS(on)): até 2,4 Ω com VGS de -10 V
Tensão máxima gate-fonte (VGS): ±20 V
Dissipação máxima de potência: 2,5 W, conforme condições térmicas especificadas
Encapsulamento: SOIC-8 / SO-8
Tipo de montagem: SMD/SMT
Temperatura de operação da junção: -55 °C a +150 °C
Chaveamento eletrônico de potência
Fontes de alimentação e circuitos SMPS
Conversores de potência
Controle de cargas em circuitos eletrônicos
Gerenciamento de energia
Circuitos de acionamento e comutação
Equipamentos eletrônicos industriais
Placas de circuito impresso (PCB)
Datasheet oficial IRF6217 – Infineon Technologies (PDF)
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