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BDP31 Transistor NPN de Média Potência 45V 3A SMD

Código: 12527 Marca: NXP Semiconductors

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🔌 DESCRIÇÃO DO PRODUTO

O Transistor Bipolar BJT BDP31 SMD SOT-223, da NXP Semiconductors, é um transistor bipolar NPN de média potência, desenvolvido para aplicações gerais de amplificação e chaveamento em circuitos eletrônicos.

O BDP31 apresenta tensão coletor-emissor (VCEO) de até 45 V e corrente contínua de coletor de até 3 A, oferecendo capacidade adequada para aplicações que exigem maior corrente do que transistores de sinal convencionais. O dispositivo também possui corrente de coletor de pico de até 6 A.

Seu encapsulamento SOT-223 foi desenvolvido para montagem SMD/SMT, oferecendo uma área de contato significativa para auxiliar na dissipação térmica. O BDP31 é indicado para aplicações gerais de média potência, circuitos de chaveamento, controle de cargas e amplificação.

O componente possui quatro terminais físicos no encapsulamento SOT-223, sendo os terminais 2 e 4 conectados internamente ao coletor. Essa característica é importante para o correto posicionamento e layout da placa.

🔧 CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS

Produto: Transistor Bipolar BJT
Marca: NXP Semiconductors
Part Number: BDP31
Tipo: Transistor NPN de média potência
Polaridade: NPN
Tensão Coletor-Base (VCBO): 70 V
Tensão Coletor-Emissor (VCEO): 45 V
Tensão Emissor-Base (VEBO): 6 V
Corrente contínua de coletor (IC): 3 A
Corrente de coletor de pico (ICM): 6 A
Corrente de base de pico (IBM): 0,5 A
Dissipação de potência: até 1,35 W nas condições especificadas
Temperatura máxima de junção: 150 °C
Montagem: SMD / SMT
Encapsulamento: SOT-223
Número de terminais físicos: 4
Pinagem: 1 = Base; 2 e 4 = Coletor; 3 = Emissor
Aplicações: Amplificação de média potência, chaveamento, controle de cargas e aplicações eletrônicas gerais.

📄 DATASHEET

BDP31 – NPN Medium Power Transistor – NXP Semiconductors

Datasheet BDP31 – NXP Semiconductors

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