IXBX25N250 Power IGBT 2500V 55A Encapsulamento TO-247

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O IXBX25N250 é um transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de alta tensão, fabricado pela IXYS, projetado para aplicações industriais que exigem elevada capacidade de bloqueio, alta corrente e robustez elétrica. Com tensão coletor-emissor de até 2500V e corrente contínua de 55A, este dispositivo é ideal para sistemas de potência elevada e alta confiabilidade.

Seu encapsulamento TO-247-3 PTH (Through Hole) oferece excelente dissipação térmica e facilidade de montagem em projetos industriais e de manutenção. O IXBX25N250 combina as vantagens de controle simples de gate com baixas perdas de condução, sendo amplamente utilizado em inversores de alta tensão, fontes industriais, equipamentos de solda, UPS, acionamentos de motores e aplicações de energia.

Principais Características Técnicas

  • Tipo: IGBT de Potência

  • Tensão Vce: 2500V

  • Corrente Ic: até 55A

  • Encapsulamento: TO-247-3

  • Montagem: PTH / Through Hole

  • Alta capacidade de bloqueio de tensão

  • Excelente desempenho térmico

  • Alta confiabilidade para aplicações industriais

Aplicações Comuns

  • Inversores industriais de alta tensão

  • Fontes de alimentação de potência

  • Sistemas UPS

  • Equipamentos de soldagem

  • Acionamento e controle de motores

  • Conversores de energia


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Datasheet (Ficha Técnica)

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