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Transistor IPW60R041C6 CoolMOS C6 N-Channel 600V TO-247-3

Código: 9940 Marca: Infineon

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🔌 DESCRIÇÃO DO PRODUTO

O Transistor IPW60R041C6 TO-247-3 (PTH), da Infineon, é um MOSFET de potência N-Channel da família CoolMOS™ C6, desenvolvido para aplicações de chaveamento de alta eficiência em fontes de alimentação, conversores e sistemas de eletrônica de potência.

O componente possui tensão máxima VDS de 600V, corrente de dreno de até 77,5A e baixa resistência de condução. A Infineon destaca a tecnologia CoolMOS™ C6 por combinar baixo RDS(on), baixas perdas de chaveamento e boa robustez de comutação.

🔧 CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS

Produto: MOSFET de Potência
Part Number: IPW60R041C6
Marca: Infineon
Tecnologia: CoolMOS™ C6
Tipo: MOSFET N-Channel
Tensão Drain-Source (VDS): 600V
Corrente de Dreno (ID): 77,5A
RDS(on) máximo: 41mΩ conforme especificação atual da Infineon
RDS(on) @ 10V: 41mΩ
Tensão Gate-Source (VGS): ±20V
Tensão de limiar (VGS(th)): 2,5V a 3,5V
Carga de Gate (Qg): 290nC
Dissipação de potência (Ptot): 481W
Temperatura de operação: -55°C a +150°C
Corrente de pulso (IDpulse): 272A
Encapsulamento: TO-247-3 / PG-TO247-3
Montagem: PTH / THT (Through-Hole)
Configuração: Canal único
Modo de canal: Enhancement

A página oficial da Infineon especifica atualmente 41mΩ como RDS(on) máximo. Algumas páginas de distribuidores apresentam 37mΩ, portanto, para o cadastro técnico, é mais seguro utilizar o valor oficial atual da Infineon: 41mΩ.

📄 DATASHEET

Datasheet e documentação oficial – Infineon:
https://www.infineon.com/assets/row/public/documents/24/49/infineon-ipw60r041c6-datasheet-en.pdf

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