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Transistor IRF640N MOSFET Canal N 200V 18A 150mΩ TO-220 PTH

Código: 12095 Marca: Infineon

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📦 DESCRIÇÃO DO PRODUTO

O Transistor MOSFET IRF640N é um MOSFET de potência canal N, fabricado pela Infineon Technologies, pertencente à família HEXFET®. Desenvolvido para aplicações de chaveamento e controle de potência, o componente oferece capacidade para operar com tensões de até 200 V e corrente contínua de dreno de até 18 A, sendo indicado para circuitos de potência e conversão de energia.

O IRF640N apresenta RDS(on) máximo de 150 mΩ, proporcionando baixa resistência durante a condução quando devidamente acionado. O dispositivo também possui capacidade de avalanche, chaveamento rápido e temperatura máxima de junção de 175 °C, características que contribuem para sua utilização em aplicações de potência.

Com encapsulamento TO-220 e montagem THT/PTH (Through Hole), o IRF640N é indicado para fontes de alimentação chaveadas, conversores, inversores, acionamento de cargas, circuitos de controle de potência e outras aplicações que necessitam de um MOSFET canal N de alta tensão.

🔧 CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS

Produto: Transistor MOSFET de Potência
Part Number: IRF640N
OPN Infineon: IRF640NPBF
Marca: Infineon Technologies
Série: HEXFET®
Tipo: MOSFET Canal N
Tensão Drain-Source (VDS): 200 V
Corrente contínua de dreno (ID): 18 A
RDS(on) máximo: 150 mΩ
Tensão máxima Gate-Source (VGS): ±20 V
Tensão de limiar (VGS(th)): 2 a 4 V
Carga total de Gate (Qg): 44,7 nC típica @ 10 V
Carga Gate-to-Drain (Qgd): 22 nC
Dissipação de potência: 150 W
Temperatura de junção: -55 °C a +175 °C
Encapsulamento: TO-220
Montagem: PTH / THT / Through Hole
Configuração: 1 canal
Polaridade: N-Channel
Tecnologia: MOSFET de potência
Status: Ativo na Infineon

📄 DATASHEET

Datasheet oficial Infineon – IRF640N:
Acessar Datasheet IRF640N – Infineon

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