O Transistor MOSFET AON6360 da Alpha & Omega Semiconductor é um MOSFET de potência de canal N desenvolvido para aplicações de chaveamento e conversão de energia que exigem baixa resistência de condução, alta capacidade de corrente e eficiência.
Com tensão máxima dreno-fonte de 30 V e corrente contínua de até 85 A nas condições especificadas de temperatura de case, o AON6360 oferece características adequadas para circuitos de potência, conversores DC/DC e sistemas de gerenciamento de energia. A corrente contínua especificada em temperatura ambiente de 25 °C é de 36 A.
O componente apresenta resistência máxima de condução RDS(on) de 3 mΩ a VGS = 10 V, contribuindo para reduzir as perdas por condução durante o chaveamento. Também possui carga de gate máxima de 24 nC e tensão gate-source máxima de ±20 V.
O AON6360 utiliza encapsulamento 8-DFN de 5 × 6 mm, com montagem SMD/SMT, proporcionando uma solução compacta para placas de circuito impresso e aplicações de alta densidade.
Datasheet oficial AON6360 – Alpha & Omega Semiconductor
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