O Transistor MOSFET AON6370 da Alpha & Omega Semiconductor é um MOSFET de potência de canal N desenvolvido para aplicações de chaveamento e conversão de energia que exigem baixa resistência de condução, alta capacidade de corrente e eficiência.
Com tensão máxima dreno-fonte de 30 V e corrente contínua de até 47 A nas condições especificadas de temperatura de case, o AON6370 utiliza tecnologia Trench Power αMOS, proporcionando baixa resistência RDS(on), baixa carga de gate e alta capacidade de corrente.
O componente apresenta RDS(on) máximo inferior a 7,2 mΩ com VGS de 10 V e inferior a 11,5 mΩ com VGS de 4,5 V, características que contribuem para reduzir as perdas por condução em aplicações de potência.
O AON6370 possui encapsulamento DFN 5×6 com 8 terminais e montagem SMD/SMT, oferecendo uma solução compacta para placas de circuito impresso. É indicado para conversores DC/DC em sistemas computacionais e conversores DC/DC isolados utilizados em aplicações industriais e de telecomunicações.
O fabricante especifica o AON6370 para aplicações em conversores DC/DC em sistemas computacionais e conversores DC/DC isolados para aplicações industriais e de telecomunicações.
Datasheet oficial AON6370 – Alpha & Omega Semiconductor
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