O Transistor MOSFET AON6362 da Alpha & Omega Semiconductor é um MOSFET de potência de canal N desenvolvido para aplicações de chaveamento e conversão de energia que exigem baixa resistência de condução, alta capacidade de corrente e eficiência.
Com tensão máxima dreno-fonte de 30 V e corrente contínua de até 60 A nas condições especificadas de temperatura de case, o AON6362 utiliza tecnologia Trench Power αMOS, oferecendo baixa resistência de condução, baixa carga de gate e alta capacidade de corrente.
O componente apresenta RDS(on) máximo inferior a 5,2 mΩ com VGS de 10 V e inferior a 8,6 mΩ com VGS de 4,5 V. Essas características contribuem para reduzir as perdas por condução e melhorar a eficiência em aplicações de gerenciamento e conversão de energia.
O AON6362 possui encapsulamento DFN 5×6 com 8 terminais e montagem SMD/SMT, proporcionando uma solução compacta para placas de circuito impresso. O fabricante indica aplicações em conversores DC/DC para sistemas computacionais e conversores DC/DC isolados para equipamentos de telecomunicações e aplicações industriais.
O fabricante especifica o AON6362 para conversores DC/DC em sistemas computacionais e conversores DC/DC isolados utilizados em aplicações industriais e de telecomunicações.
Datasheet oficial AON6362 – Alpha & Omega Semiconductor
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