Transistor MOSFET N-Channel AON6362 30V 60A 8-DFN SMD

Código: 11181 Marca:
R$ 15,00 R$ 9,75
Comprar Agora Estoque: Disponível
* Este prazo de entrega está considerando a disponibilidade do produto + prazo de entrega.

📦 DESCRIÇÃO DO PRODUTO

O Transistor MOSFET AON6362 da Alpha & Omega Semiconductor é um MOSFET de potência de canal N desenvolvido para aplicações de chaveamento e conversão de energia que exigem baixa resistência de condução, alta capacidade de corrente e eficiência.

Com tensão máxima dreno-fonte de 30 V e corrente contínua de até 60 A nas condições especificadas de temperatura de case, o AON6362 utiliza tecnologia Trench Power αMOS, oferecendo baixa resistência de condução, baixa carga de gate e alta capacidade de corrente.

O componente apresenta RDS(on) máximo inferior a 5,2 mΩ com VGS de 10 V e inferior a 8,6 mΩ com VGS de 4,5 V. Essas características contribuem para reduzir as perdas por condução e melhorar a eficiência em aplicações de gerenciamento e conversão de energia.

O AON6362 possui encapsulamento DFN 5×6 com 8 terminais e montagem SMD/SMT, proporcionando uma solução compacta para placas de circuito impresso. O fabricante indica aplicações em conversores DC/DC para sistemas computacionais e conversores DC/DC isolados para equipamentos de telecomunicações e aplicações industriais.


🔧 CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS

  • Produto: Transistor MOSFET de potência
  • Fabricante: Alpha & Omega Semiconductor
  • Modelo: AON6362
  • Tipo: MOSFET N-Channel / Canal N
  • Tecnologia: Trench Power αMOS
  • Tensão dreno-fonte (VDS): 30 V
  • Corrente contínua de dreno (ID): 27 A @ TA = 25 °C
  • Corrente contínua de dreno (ID): 60 A @ TC = 25 °C
  • Corrente de dreno pulsada (IDM): 100 A
  • RDS(on) máximo: < 5,2 mΩ @ VGS = 10 V
  • RDS(on) máximo: < 8,6 mΩ @ VGS = 4,5 V
  • Tensão gate-source máxima (VGS): ±20 V
  • Carga de gate (Qg): 13 nC @ VGS = 10 V
  • Tensão de limiar (VGS(th)): 2,2 V @ ID = 250 µA
  • Capacitância de entrada (Ciss): 820 pF @ VDS = 15 V
  • Dissipação de potência: 6,2 W @ TA / 31 W @ TC
  • Temperatura de junção e armazenamento: -55 °C a +150 °C
  • Encapsulamento: DFN 5×6
  • Número de terminais: 8
  • Montagem: SMD / SMT
  • Tipo de pacote: 8-DFN / 8-PowerSMD
  • Características: Baixo RDS(on), baixa carga de gate e alta capacidade de corrente

⚙️ APLICAÇÕES

  • Conversores DC/DC
  • Conversores DC/DC para sistemas computacionais
  • Conversores DC/DC isolados
  • Equipamentos de telecomunicações
  • Sistemas industriais
  • Fontes de alimentação
  • Gerenciamento de energia
  • Circuitos de chaveamento de potência
  • Sistemas de conversão de energia
  • Equipamentos eletrônicos de alta eficiência

O fabricante especifica o AON6362 para conversores DC/DC em sistemas computacionais e conversores DC/DC isolados utilizados em aplicações industriais e de telecomunicações.


📄 DATASHEET

Datasheet oficial AON6362 – Alpha & Omega Semiconductor


🔎 PALAVRAS-CHAVE SEO

AON6362, AON 6362, AON6362 MOSFET, transistor AON6362, MOSFET AON6362, MOSFET canal N, MOSFET N-Channel 30V

AON6362 MOSFET AON6362 MOSFET AON6362 MOSFET AON6362 MOSFET AON6362 MOSFET  AON6362 MOSFET

R$ 15,00 R$ 9,75
Comprar Agora Estoque: Disponível
Pague com
  • Pagali
  • Pix
Selos
  • Site Seguro

FIND COMP ELETRONICS BRAZIL - CNPJ: 39.519.183/0001-91 © Todos os direitos reservados. 2026