Transistor FDP20N50F MOSFET Potência 500V 20A Encapsulamento TO-220-3

Código: 45177 Marca:
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O Transistor MOSFET FDP20N50F da Onsemi é um MOSFET de potência de canal N, desenvolvido para aplicações que exigem alta tensão, elevada capacidade de corrente e excelente eficiência de comutação. Com tensão máxima de 500V, corrente contínua de até 20A e encapsulamento TO-220-3 PTH (Through Hole), é amplamente utilizado em fontes chaveadas, inversores, nobreaks, controles de motores, conversores CC-CC, equipamentos industriais e projetos eletrônicos de potência.

Fabricado pela Onsemi, o FDP20N50F apresenta baixa resistência de condução (RDS(on)), alta velocidade de chaveamento e elevada robustez contra avalanches, proporcionando maior confiabilidade, menor dissipação de potência e excelente desempenho em circuitos de alta eficiência.

Características Técnicas:

  • Produto: Transistor MOSFET
  • Part Number: FDP20N50F
  • Marca: Onsemi
  • Tipo: MOSFET de Potência
  • Polaridade: Canal N (N-Channel)
  • Tensão Dreno-Source (VDS): 500V
  • Corrente de Dreno Contínua (ID): 20A
  • Encapsulamento: TO-220-3
  • Montagem: PTH (Through Hole)
  • Baixa resistência RDS(on)
  • Alta velocidade de comutação
  • Alta capacidade de dissipação térmica
  • Excelente robustez contra avalanche
  • Compatível com montagem em dissipador de calor

Aplicações:

  • Fontes chaveadas (SMPS)
  • Inversores de tensão
  • Nobreaks (UPS)
  • Conversores CC-CC (DC-DC)
  • Controladores de motores
  • Acionamento de cargas indutivas
  • Equipamentos industriais
  • Sistemas de energia
  • Equipamentos de automação
  • Projetos eletrônicos de potência

Benefícios:

  • Alta capacidade de tensão e corrente
  • Excelente eficiência energética
  • Baixas perdas por condução
  • Chaveamento rápido
  • Alta confiabilidade operacional
  • Ideal para aplicações de média e alta potência
  • Produto original Onsemi com elevado padrão de qualidade

Datasheet: Clique aqui para abrir o link do Datasheet

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