O MOSFET MDF12N50 é um transistor de potência de canal N, desenvolvido para aplicações de chaveamento eletrônico em circuitos que exigem alta tensão e capacidade de condução de corrente.
Com tensão máxima entre dreno e fonte de 500 V e corrente contínua de até 11,5 A, o componente é indicado para sistemas de alimentação, fontes chaveadas e circuitos de conversão de energia.
Apresenta baixa resistência de condução (RDS(on) máxima de 0,65 Ω), contribuindo para reduzir as perdas durante o funcionamento quando operado nas condições especificadas pelo fabricante.
Seu encapsulamento TO-220F possui aba isolada, facilitando a montagem em placas de circuito impresso e oferecendo isolamento elétrico entre a parte metálica externa e o circuito, conforme as especificações do componente.
É uma opção para projetos de eletrônica de potência, manutenção de equipamentos e reposição de semicondutores.
Código do componente: MDF12N50
Tipo: Transistor MOSFET de potência
Polaridade: Canal N (N-Channel)
Tensão dreno-fonte (VDSS): 500 V
Corrente contínua de dreno (ID): 11,5 A a 25 °C (conforme condições de montagem)
Corrente contínua a 100 °C: 7 A
Corrente de dreno pulsada (IDM): 46 A
Resistência de condução (RDS(on)): 0,65 Ω máxima
Tensão gate-fonte (VGSS): ±30 V
Potência máxima de dissipação: 42 W
Tensão de limiar do gate (VGS(th)): 3 V a 5 V
Temperatura de operação da junção: -55 °C a +150 °C
Encapsulamento: TO-220F / TO-220 isolado
Montagem: PTH (Through-Hole)
Aplicação: Chaveamento de potência e conversão de energia
Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
Circuitos PFC (correção do fator de potência)
Conversores de potência
Circuitos de chaveamento de alta tensão
Equipamentos industriais
Sistemas de alimentação eletrônica
Manutenção e reposição de placas eletrônicas
Circuitos de controle de potência
1 × Transistor MOSFET MDF12N50 500V 11,5A TO-220F Isolado
Datasheet MDF12N50 – MagnaChip Semiconductor (PDF):
https://www.magnachip.com/wp-content/uploads/2020/10/MDF12N50-1.pdf
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