Transistor MOSFET IRF9530NPBF – Infineon Technologies – Canal P – 100V 14A – TO-220-3

🔹 Descrição do Produto

O IRF9530NPBF da Infineon Technologies é um transistor MOSFET de potência do tipo Canal P (P-Channel), desenvolvido para aplicações de chaveamento eletrônico e controle de potência.

Com tensão máxima dreno-fonte (VDS) de 100V e corrente de dreno nominal de até 14A, conforme as condições especificadas pelo fabricante, é indicado para projetos eletrônicos que necessitam de controle de cargas, gerenciamento de energia e circuitos de acionamento.

Seu encapsulamento TO-220-3, com montagem PTH (Through-Hole), facilita a instalação em placas de circuito impresso e permite o uso de dissipadores de calor, conforme as necessidades térmicas do projeto.

É uma opção para manutenção, reposição e desenvolvimento de equipamentos eletrônicos e circuitos de potência.

🔧 Especificações Técnicas

• Código: IRF9530NPBF

• Modelo relacionado: IRF9530N

• Fabricante informado: Infineon Technologies

• Tipo: Transistor MOSFET de potência

• Polaridade: Canal P (P-Channel)

• Tensão máxima Dreno-Fonte (VDS): 100V

• Corrente máxima de Dreno (ID): 14A

• Encapsulamento: TO-220-3

• Tipo de montagem: PTH – Through-Hole

• Terminais: Gate, Drain e Source

Observação: os valores máximos de tensão e corrente dependem das condições de operação, temperatura e dissipação térmica. Consulte o datasheet para verificar os parâmetros completos.

⚙️ Características e Vantagens

• MOSFET de potência com canal P.

• Capacidade de operação com tensão Dreno-Fonte de até 100V.

• Corrente nominal de dreno de até 14A, conforme condições do datasheet.

• Encapsulamento TO-220-3 para montagem em placa.

• Possibilidade de utilização com dissipador térmico.

• Aplicável em circuitos de chaveamento e controle de potência.

• Indicado para manutenção e reposição de equipamentos eletrônicos.

📐 Entenda as principais funções

MOSFET Canal P: permite controlar a passagem de corrente elétrica por meio de um sinal aplicado ao terminal Gate. É frequentemente utilizado em configurações de chaveamento pelo lado positivo da alimentação.

VDS – Tensão Dreno-Fonte: representa a tensão máxima especificada entre os terminais Drain e Source.

ID – Corrente de Dreno: indica a corrente máxima suportada pelo componente dentro das condições estabelecidas pelo fabricante.

TO-220-3: encapsulamento de três terminais, utilizado em componentes de potência e que permite montagem PTH.

🔌 Aplicações

• Fontes de alimentação chaveadas.

• Circuitos de controle de potência.

• Conversores DC-DC.

• Sistemas de gerenciamento de energia.

• Acionamento de cargas eletrônicas.

• Circuitos de chaveamento pelo lado positivo.

• Equipamentos eletrônicos industriais.

• Manutenção e reparo de placas eletrônicas.

📦 Conteúdo da Embalagem

• 1 unidade do transistor MOSFET IRF9530NPBF.

⚠️ Atenção antes da compra

Antes de adquirir o componente, confira o código, a polaridade, o encapsulamento e as características elétricas exigidas pelo seu circuito.

Não considere MOSFETs Canal P e Canal N como substitutos diretos. Verifique também a pinagem, a tensão de acionamento do Gate, a corrente, a dissipação térmica e as condições de operação.

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🔗 Datasheet e documentação técnica

Fabricante: Infineon Technologies

Consulta do componente e documentação técnica:
https://www.infineon.com/assets/row/public/documents/24/49/infineon-irf9530n-datasheet-en.pdf

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