MOSFET IRLZ44NS STMicroelectronics Tipo N 55V 47A Encapsulamento D2PAK-3

Código: 29286 Marca:
R$ 48,00 R$ 31,20
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⚙️ Descrição do Produto – Transistor MOSFET IRLZ44NS Infineon Technologies Canal N SMD D2PAK-3 (TO-263)

O IRLZ44NS da Infineon Technologies é um transistor MOSFET de canal N projetado para aplicações de potência que exigem baixa resistência RDS(on), alta eficiência e rápida comutação. Com tensão de dreno-fonte de 55 V e corrente contínua de até 47 A, este MOSFET é ideal para drivers de motor, fontes chaveadas (SMPS), controle de carga, inversores e circuitos de comutação de alta velocidade.

Fabricado em encapsulamento SMD D2PAK-3 (TO-263-3), o IRLZ44NS oferece excelente dissipação térmica e montagem fácil em superfície (SMT), permitindo projetos eletrônicos mais compactos e eficientes.


🔧 Características Técnicas Principais

  • Modelo: IRLZ44NS

  • Fabricante: Infineon Technologies

  • Tipo: MOSFET Canal N (Enhancement Mode)

  • Tensão Máxima Dreno-Fonte (VDS): 55 V

  • Corrente Contínua Dreno (ID): 47 A

  • RDS(on) (máx): 0,022 Ω @ VGS = 10 V

  • Tensão de Limiar de Porta (VGS(th)): 1 – 2 V

  • Dissipação de Potência (PD): 94 W

  • Encapsulamento: D2PAK-3 / TO-263-3 (SMD)

  • Montagem: Montagem em Superfície (SMD)

  • Temperatura de Operação: -55 °C a +175 °C


Aplicações Comuns

  • Fontes chaveadas (SMPS)

  • Drivers de motor DC

  • Conversores DC-DC

  • Controle de carga e comutação de potência

  • Equipamentos automotivos e industriais


💡 Benefícios

  • Alta eficiência energética e baixa dissipação

  • Operação em baixa tensão de gate (logic-level drive)

  • Alta confiabilidade e estabilidade térmica

  • Design otimizado para montagem SMD


📎 Datasheet

🔗 Download do Datasheet – IRLZ44NS | Infineon Technologies (PDF)


🔍 Resumo SEO (para descrição curta):

Transistor MOSFET IRLZ44NS Infineon Technologies, Canal N 55V 47A, encapsulamento SMD D2PAK-3. Alta eficiência, baixa resistência RDS(on) e excelente desempenho em circuitos de potência.


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