O IRLZ44NS da Infineon Technologies é um transistor MOSFET de canal N projetado para aplicações de potência que exigem baixa resistência RDS(on), alta eficiência e rápida comutação. Com tensão de dreno-fonte de 55 V e corrente contínua de até 47 A, este MOSFET é ideal para drivers de motor, fontes chaveadas (SMPS), controle de carga, inversores e circuitos de comutação de alta velocidade.
Fabricado em encapsulamento SMD D2PAK-3 (TO-263-3), o IRLZ44NS oferece excelente dissipação térmica e montagem fácil em superfície (SMT), permitindo projetos eletrônicos mais compactos e eficientes.
Modelo: IRLZ44NS
Fabricante: Infineon Technologies
Tipo: MOSFET Canal N (Enhancement Mode)
Tensão Máxima Dreno-Fonte (VDS): 55 V
Corrente Contínua Dreno (ID): 47 A
RDS(on) (máx): 0,022 Ω @ VGS = 10 V
Tensão de Limiar de Porta (VGS(th)): 1 – 2 V
Dissipação de Potência (PD): 94 W
Encapsulamento: D2PAK-3 / TO-263-3 (SMD)
Montagem: Montagem em Superfície (SMD)
Temperatura de Operação: -55 °C a +175 °C
Fontes chaveadas (SMPS)
Drivers de motor DC
Conversores DC-DC
Controle de carga e comutação de potência
Equipamentos automotivos e industriais
Alta eficiência energética e baixa dissipação
Operação em baixa tensão de gate (logic-level drive)
Alta confiabilidade e estabilidade térmica
Design otimizado para montagem SMD
🔗 Download do Datasheet – IRLZ44NS | Infineon Technologies (PDF)
Transistor MOSFET IRLZ44NS Infineon Technologies, Canal N 55V 47A, encapsulamento SMD D2PAK-3. Alta eficiência, baixa resistência RDS(on) e excelente desempenho em circuitos de potência.
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