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Transistor MOSFET N-Channel 650V 7A TO-251-3 JCS7HN65VC 120W PTH

Código: 47574 Marca: Jilin Sino-Microelectronics

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O JCS7HN65VC da Jilin Sino-Microelectronics é um transistor MOSFET de potência Canal N desenvolvido para aplicações de alta tensão e alta eficiência. Com capacidade de operação de até 650V, corrente contínua de 7A e dissipação de potência de 120W, este componente é ideal para projetos de fontes chaveadas, inversores, controladores de potência, carregadores, nobreaks, iluminação LED industrial e diversos circuitos eletrônicos de alta performance.

Fabricado no encapsulamento TO-251-3 (IPAK) com montagem PTH (Through Hole), o JCS7HN65VC oferece excelente desempenho em comutação, baixa resistência de condução e alta confiabilidade em aplicações que exigem eficiência energética e estabilidade operacional.

Sua construção robusta permite utilização em projetos de reparo, manutenção e desenvolvimento eletrônico, sendo amplamente empregado em equipamentos industriais, fontes de alimentação chaveadas (SMPS), conversores DC-DC, inversores solares e sistemas de controle de motores.

Características Técnicas:

Modelo: JCS7HN65VC
Part Number: JCS7HN65V
Fabricante: Jilin Sino-Microelectronics
Tipo: Transistor MOSFET de Potência
Tecnologia: Canal N (N-Channel)
Tensão Dreno-Source (VDS): 650V
Corrente de Dreno (ID): 7A
Potência Máxima de Dissipação: 120W
Encapsulamento: TO-251-3 (IPAK)
Montagem: PTH (Through Hole)
Aplicação: Fontes chaveadas, inversores, nobreaks, iluminação LED, controle de potência e automação industrial

Benefícios do Produto:

O MOSFET JCS7HN65VC combina alta capacidade de tensão, excelente desempenho em chaveamento e elevada confiabilidade, tornando-se uma excelente escolha para projetos eletrônicos que exigem eficiência, durabilidade e segurança operacional.

Datasheet: Clique aqui para abrir o link do Datasheet

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