O NTP082N65S3F é um MOSFET de potência canal N (N-Channel) da onsemi, desenvolvido para aplicações de chaveamento e conversão de energia que exigem alta tensão de bloqueio e elevada capacidade de corrente.
O componente suporta 650 V de tensão dreno-source (VDS) e 40 A de corrente de dreno contínua, quando especificada com temperatura de case de 25 °C. Apresenta RDS(on) máximo de 82 mΩ a VGS de 10 V e ID de 20 A, contribuindo para reduzir as perdas por condução.
Com encapsulamento TO-220 e montagem PTH (Through-Hole), o NTP082N65S3F é indicado para projetos de potência que necessitam de componente robusto e boa capacidade de dissipação térmica. O dispositivo utiliza a tecnologia SUPERFET III / FRFET, desenvolvida para aplicações de alta tensão e chaveamento eficiente.
O NTP082N65S3F pode ser utilizado em:
Datasheet oficial onsemi – NTP082N65S3F
NTP082N65S3F, transistor NTP082N65S3F, MOSFET NTP082N65S3F, MOSFET 650V 40A, MOSFET canal N 650V
NTP082N65S3F NTP082N65S3F NTP082N65S3F NTP082N65S3F NTP082N65S3F NTP082N65S3F NTP082N65S3F
Distribuidor , Importador e Exportador de Componentes Eletrônicos em atacado. Apenas embalagens lacradas de fábrica. Produtos originais.