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Transistor MOSFET IRFB4710PBF N-Channel TO-220 PTH

Código: 15145 Marca: Infineon Technologies

🔧 Transistor MOSFET IRFB4710PBF 100V 75A TO-220 PTH (IRFB4710) – Infineon Technologies

O Transistor IRFB4710PBF da Infineon Technologies é um MOSFET de potência canal N da família HEXFET®, desenvolvido para aplicações de chaveamento e controle de potência em circuitos eletrônicos.

Com tensão dreno-fonte de até 100V, corrente de dreno contínua de até 75A e baixa resistência de condução, com RDS(on) máximo de 14mΩ, o IRFB4710PBF é indicado para aplicações que exigem alta capacidade de corrente e eficiência no chaveamento.

📋 ESPECIFICAÇÕES TÉCNICAS

• Modelo: IRFB4710PBF
• Fabricante: Infineon Technologies
• Série: HEXFET®
• Tipo: MOSFET de potência
• Polaridade: Canal N
• Tensão Dreno-Fonte (VDSS): 100V
• Corrente de Dreno contínua (ID): 75A
• RDS(on) máximo: 14mΩ
• RDS(on) especificado em: VGS = 10V / ID = 45A
• Tensão máxima Gate-Source (VGS): ±20V
• Carga de Gate (Qg): 170nC máx.
• Dissipação de potência: até 200W (Tc = 25°C)
• Encapsulamento: TO-220 / TO-220AB
• Montagem: PTH / Through Hole / THT
• Temperatura de junção: -55°C a +175°C

⚙️ APLICAÇÕES

O IRFB4710PBF é indicado para aplicações de conversão e controle de potência, incluindo conversores DC-DC de alta frequência, controle de motores, fontes de alimentação ininterrupta (UPS) e outros circuitos que necessitam de chaveamento de alta corrente.

Seu encapsulamento TO-220AB permite montagem PTH em placas de circuito impresso e facilita a utilização de dissipadores de calor em aplicações que exigem maior capacidade de dissipação térmica.

📄 DATASHEET

Datasheet oficial Infineon – IRFB4710PBF:

Acessar Datasheet IRFB4710 – Infineon Technologies

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