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Transistor FQPF6N60C MOSFET Canal N 600V 5,5A PTH (6N60)

Código: 12552 Marca: Onsemi

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🔌 DESCRIÇÃO DO PRODUTO

O Transistor FQPF6N60C TO-220F PTH (6N60), da onsemi, é um MOSFET de potência canal N (N-Channel) desenvolvido para aplicações de chaveamento de alta tensão e conversão de energia. O dispositivo utiliza tecnologia QFET®, sendo projetado para oferecer baixa resistência em condução, boa velocidade de chaveamento e capacidade de suportar condições de avalanche.

O FQPF6N60C possui tensão máxima Dreno-Fonte (VDS) de 600 V, corrente contínua de dreno de até 5,5 A e resistência máxima RDS(on) de 2 Ω, especificada com VGS de 10 V. O componente também apresenta carga de gate típica de 16 nC, característica que contribui para aplicações de chaveamento de potência.

Seu encapsulamento TO-220F-3 (Full Pack) permite montagem PTH/Through Hole e facilita a utilização em placas eletrônicas e sistemas que necessitam de dissipação térmica. O componente é indicado para fontes chaveadas, conversores de potência, correção ativa do fator de potência (PFC), reatores eletrônicos e circuitos de chaveamento de alta tensão.

🔧 CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS

Produto: MOSFET de Potência
Marca: onsemi
Part Number: FQPF6N60C
Código: 6N60
Tipo: MOSFET N-Channel
Tecnologia: QFET® / DMOS
Modo de operação: Enhancement
Tensão Dreno-Fonte (VDS): 600 V
Corrente contínua de dreno (ID): 5,5 A a 25 °C
Corrente contínua a 100 °C: 3,3 A
Corrente de dreno pulsada: 22 A
RDS(on) máximo: 2 Ω
Tensão Gate-Source: ±30 V
Carga de Gate típica: 16 nC
Capacitância de entrada: aproximadamente 810 pF
Dissipação de potência: 40 W
Temperatura de operação: -55 °C a +150 °C
Montagem: PTH / Through Hole
Encapsulamento: TO-220F-3 / Full Pack
Número de terminais: 3
Aplicações: Fontes chaveadas, conversores AC/DC e DC/DC, PFC ativo, reatores eletrônicos, inversores e circuitos de chaveamento de potência.

📄 DATASHEET

FQP6N60C / FQPF6N60C – 600 V N-Channel MOSFET – onsemi

Datasheet oficial FQPF6N60C – onsemi

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