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Transistor FQPF8N60C MOSFET Canal N 600V 7,5A PTH (8N60)

Código: 12543 Marca: Onsemi

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🔌 DESCRIÇÃO DO PRODUTO

O Transistor FQPF8N60C TO-220F PTH (8N60), da onsemi, é um MOSFET de potência canal N (N-Channel) desenvolvido para aplicações de chaveamento de alta tensão e conversão de energia. O componente utiliza tecnologia QFET®, oferecendo características adequadas para aplicações que exigem boa eficiência de chaveamento e capacidade de suportar condições de avalanche.

O FQPF8N60C possui tensão máxima Dreno-Fonte (VDS) de 600 V, corrente contínua de dreno de até 7,5 A e resistência máxima RDS(on) de 1,2 Ω, especificada com VGS = 10 V e ID = 3,75 A. O dispositivo também apresenta carga de gate típica de aproximadamente 28 nC, contribuindo para aplicações de chaveamento de potência.

Seu encapsulamento TO-220F-3 / Full Pack permite montagem PTH/Through Hole e é adequado para utilização em placas eletrônicas e sistemas de potência. O componente foi desenvolvido para aplicações como fontes chaveadas de alta eficiência, correção ativa do fator de potência (PFC), reatores eletrônicos e conversores de potência.

🔧 CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS

Produto: MOSFET de Potência
Marca: onsemi
Part Number: FQPF8N60C
Código comercial: 8N60
Tipo: MOSFET N-Channel
Tecnologia: QFET® / DMOS
Modo de operação: Enhancement
Tensão Dreno-Fonte (VDS): 600 V
Corrente contínua de dreno (ID): 7,5 A a 25 °C
Corrente contínua a 100 °C: 4,6 A
Corrente de dreno pulsada: 30 A
RDS(on) máximo: 1,2 Ω
Tensão Gate-Source máxima: ±30 V
Tensão de limiar Gate-Source: 2 a 4 V
Carga de Gate típica: 28 nC
Dissipação de potência: 48 W
Energia de avalanche de pulso único: 230 mJ
Temperatura de operação: -55 °C a +150 °C
Montagem: PTH / Through Hole
Encapsulamento: TO-220F-3 / Full Pack
Número de terminais: 3
Aplicações: Fontes chaveadas, conversores de potência, PFC ativo, reatores eletrônicos, inversores e circuitos de chaveamento de alta tensão.

📄 DATASHEET

FQPF8N60C – N-Channel QFET® MOSFET 600 V / 7,5 A – onsemi

Datasheet oficial FQPF8N60C – onsemi

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