Transistor de Potência IRFB4410PBF N-Channel 100V 96A PTH

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🔧 Transistor MOSFET IRFB4410PBF 100V 88A TO-220 PTH (IRFB4410) – Infineon

O Transistor IRFB4410PBF da Infineon é um MOSFET de potência canal N da família HEXFET®, desenvolvido para aplicações de chaveamento, conversão e controle de potência em circuitos eletrônicos.

Com tensão dreno-fonte de até 100V, corrente de dreno contínua de até 88A e resistência RDS(on) máxima de 10mΩ, o IRFB4410PBF oferece baixa resistência de condução e alta capacidade de corrente, sendo indicado para aplicações que exigem eficiência e desempenho em circuitos de potência.


📋 ESPECIFICAÇÕES TÉCNICAS

• Modelo: IRFB4410PBF
• Fabricante: Infineon Technologies
• Série: HEXFET®
• Tipo: MOSFET de potência
• Polaridade: Canal N
• Tensão Dreno-Fonte (VDSS): 100V
• Corrente de Dreno contínua (ID): 88A a 25°C
• Corrente de Dreno a 100°C: 63A
• RDS(on) máximo: 10mΩ
• RDS(on) especificado em: VGS = 10V
• Tensão máxima Gate-Source (VGS): ±20V
• Carga de Gate típica: 120nC
• Dissipação de potência: até 200W
• Encapsulamento: TO-220AB
• Montagem: PTH / Through Hole / THT
• Temperatura de junção: -55°C a +175°C


⚙️ APLICAÇÕES

O IRFB4410PBF pode ser utilizado em fontes de alimentação chaveadas, retificação síncrona, sistemas UPS, conversores de potência, circuitos de chaveamento de alta velocidade e aplicações que necessitam de um MOSFET canal N de alta corrente.

Seu encapsulamento TO-220AB permite montagem PTH em placas de circuito impresso e possibilita a utilização de dissipador de calor em aplicações que exigem maior dissipação térmica.


📄 DATASHEET

Datasheet oficial Infineon – IRFB4410PBF:

Acessar Datasheet IRFB4410PBF – Infineon


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