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Transistor de Potência IRFB4510PBF N-Channel 100V 62A PTH

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Código: 15146 Marca: Infineon

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🔧 Transistor MOSFET IRFB4510PBF 100V 62A TO-220 PTH (IRFB4510) – Infineon

O Transistor IRFB4510PBF da Infineon é um MOSFET de potência canal N da família HEXFET®, desenvolvido para aplicações de chaveamento, conversão e controle de potência em circuitos eletrônicos.

Com tensão dreno-fonte de até 100V, corrente de dreno contínua de até 62A e resistência RDS(on) máxima de 13,5mΩ, o IRFB4510PBF oferece alta capacidade de corrente e baixa resistência de condução, sendo indicado para aplicações que exigem eficiência e desempenho em circuitos de potência.

📋 ESPECIFICAÇÕES TÉCNICAS

• Modelo: IRFB4510PBF
• Fabricante: Infineon Technologies
• Série: HEXFET®
• Tipo: MOSFET de potência
• Polaridade: Canal N
• Tensão Dreno-Fonte (VDSS): 100V
• Corrente de Dreno contínua (ID): 62A
• RDS(on) máximo: 13,5mΩ
• RDS(on) típico: 10,7mΩ
• Condição de RDS(on): VGS = 10V / ID = 37A
• Tensão máxima Gate-Source (VGS): ±20V
• Carga total de Gate (Qg): até 87nC
• Dissipação de potência: até 140W
• Encapsulamento: TO-220 / TO-220AB
• Montagem: PTH / Through Hole / THT
• Temperatura de junção: -55°C a +175°C

⚙️ APLICAÇÕES

O IRFB4510PBF é indicado para aplicações de conversão e controle de potência, incluindo fontes de alimentação chaveadas, retificação síncrona, sistemas UPS, conversores DC-DC, inversores, acionamento de motores e circuitos de chaveamento de potência.

Seu encapsulamento TO-220AB permite montagem PTH em placas de circuito impresso e facilita a utilização de dissipadores de calor em aplicações que exigem maior capacidade de dissipação térmica.

📄 DATASHEET

Datasheet oficial Infineon – IRFB4510PBF:

Acessar Datasheet IRFB4510PBF – Infineon

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