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MOSFET BUZ32 TO-220-3 9.5A 200V Canal N para Montagem PTH

Código: 35636 Marca: Infineon Technologies

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Qtde: Comprar Disponibilidade: Imediata Estoque: 176 unidades

Descrição do Produto – Transistor MOSFET BUZ32 Infineon Technologies 200V 9.5A TO-220-3 PTH

O BUZ32, da Infineon Technologies, é um transistor MOSFET de potência canal N projetado para oferecer alta eficiência, rápida comutação e excelente desempenho térmico em aplicações de controle e conversão de energia.
Com tensão de dreno-fonte (Vds) de 200V e corrente contínua de 9,5A, o BUZ32 é ideal para fontes chaveadas (SMPS), drivers de motor, fontes de alimentação industriais, inversores e sistemas de comutação de alta velocidade.

Seu encapsulamento TO-220-3 PTH (Through-Hole) garante dissipação térmica eficiente e fácil montagem em dissipadores, tornando-o adequado para projetos de alta potência e longa durabilidade.

Características Técnicas Principais:

Marca: Infineon Technologies
Modelo: BUZ32
Tipo: Transistor MOSFET de Potência Canal N
Tensão Dreno-Fonte (Vds): 200V
Corrente Contínua (Id): 9.5A
Dissipação de Potência (Pd): até 150W (típico)
RDS(on): 0.4Ω (típico)
Encapsulamento: TO-220-3 PTH
Montagem: Through-Hole (PTH)
Temperatura de Operação: -55°C a +150°C

Principais Aplicações:

Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
Inversores de energia e conversores DC-DC
Circuitos de controle de motores e relés eletrônicos
Sistemas de comutação de alta frequência
Equipamentos industriais e automação

Vantagens:

Alta velocidade de comutação com baixa resistência RDS(on)
Excelente capacidade de dissipação térmica
Alta confiabilidade e durabilidade em aplicações de potência
Encapsulamento padrão TO-220-3 compatível com dissipadores comuns

📄 Datasheet Infineon BUZ32:
https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-BUZ32-DS-v01_01-en.pdf

⚙️ Descrição Resumida (SEO)

O BUZ32 da Infineon Technologies é um transistor MOSFET de potência canal N de 200V e 9,5A, em encapsulamento TO-220-3 PTH, desenvolvido para fontes chaveadas, inversores e controles de motores. Oferece baixa resistência RDS(on), alta eficiência e excelente dissipação térmica, garantindo desempenho confiável em aplicações de alta potência.

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