O FQT7N10 é um transistor MOSFET de potência canal N (N-Channel) da onsemi, desenvolvido para aplicações de chaveamento, controle de potência e conversão de energia. O componente possui tensão máxima Drain-Source de 100 V, corrente contínua de até 1,7 A e resistência máxima RDS(on) de 350 mΩ, oferecendo boa capacidade de condução e desempenho em circuitos de potência.
Fabricado com tecnologia QFET, o FQT7N10 apresenta baixa carga de gate e características de chaveamento adequadas para aplicações como fontes chaveadas (SMPS), amplificadores de áudio, controle de motores DC e circuitos de comutação de potência. O componente possui encapsulamento SOT-223-4, com montagem em superfície (SMD/SMT).
Os valores elétricos acima são referentes à versão FQT7N10 conforme o datasheet da onsemi.
O FQT7N10 pode ser utilizado em:
A própria documentação da onsemi destaca o FQT7N10 para fontes chaveadas, amplificadores de áudio, controle de motores DC e aplicações de chaveamento de potência variável.
Datasheet oficial onsemi – FQT7N10:
Baixar Datasheet FQT7N10 – onsemi
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