🔌 Transistor MOSFET NVD5117PLT4G TO-252-3 (SMD) – onsemi
O NVD5117PLT4G da onsemi é um transistor MOSFET de potência de canal P, desenvolvido para aplicações de chaveamento eletrônico e controle de cargas. Com tensão dreno-fonte de até 60 V e capacidade de corrente de até 11 A em condições especificadas de montagem, o componente é indicado para circuitos de gerenciamento e distribuição de energia.
O dispositivo apresenta baixa resistência entre dreno e fonte quando está em condução, contribuindo para reduzir as perdas de potência em aplicações de chaveamento. Seu encapsulamento TO-252-3 (DPAK), projetado para montagem em superfície (SMD/SMT), permite integração em placas eletrônicas compactas e projetos que exigem controle eficiente de potência.
O NVD5117PLT4G também possui qualificação automotiva AEC-Q101, sendo adequado para aplicações compatíveis com os requisitos elétricos, térmicos e de confiabilidade especificados pelo fabricante.
📋 ESPECIFICAÇÕES TÉCNICAS
Fabricante: onsemi
Modelo: NVD5117PLT4G
Tipo: Transistor MOSFET de potência
Polaridade: Canal P (P-Channel)
Tensão dreno-fonte (VDS): -60 V
Corrente contínua de dreno: -11 A em condições especificadas para montagem
Resistência dreno-fonte em condução (RDS(on)): até 16 mΩ a VGS = -10 V e ID = -29 A
Tensão máxima porta-fonte (VGS): ±20 V
Dissipação de potência: depende das condições térmicas e de montagem
Encapsulamento: TO-252-3 (DPAK)
Número de terminais: 3
Tipo de montagem: SMD / SMT
Qualificação: AEC-Q101
⚙️ APLICAÇÕES
Indicado para projetos eletrônicos que necessitam de chaveamento e controle de potência, incluindo:
Circuitos de gerenciamento de energia
Chaveamento de cargas eletrônicas
Conversores DC/DC
Fontes de alimentação chaveadas
Sistemas de controle de potência
Módulos eletrônicos automotivos compatíveis
Placas eletrônicas industriais
Circuitos de distribuição e controle de alimentação
📄 DATASHEET
Fabricante: onsemi
Baixar datasheet oficial do NVD5117PL – PDF
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