O Transistor MOSFET STP80NE06-10 TO-220-3 (PTH) da STMicroelectronics é um MOSFET de potência de canal N desenvolvido para aplicações de chaveamento de alta velocidade e elevada eficiência energética. Fabricado com a tecnologia STripFET™ II, oferece baixíssima resistência de condução (RDS(on)), alta capacidade de corrente e excelente desempenho térmico, tornando-se uma solução ideal para projetos industriais, automotivos e eletrônicos de potência.
Com tensão máxima Dreno-Fonte (VDS) de 60 V e corrente contínua de até 80 A, o STP80NE06-10 é indicado para aplicações que exigem alta eficiência na comutação, reduzindo perdas por condução e melhorando o rendimento do sistema. Sua baixa resistência em estado ligado contribui para menor aquecimento e maior confiabilidade, mesmo em aplicações de alta corrente.
O encapsulamento TO-220-3 (PTH) proporciona excelente dissipação térmica, facilidade de montagem e compatibilidade com dissipadores de calor, sendo amplamente utilizado em fontes chaveadas, inversores, controladores de motores, conversores DC/DC, nobreaks (UPS), sistemas de energia renovável, automação industrial e diversos equipamentos eletrônicos de potência.
Produzido pela STMicroelectronics, referência mundial no desenvolvimento de semicondutores, o STP80NE06-10 combina robustez, alta confiabilidade e desempenho superior, atendendo às exigências de aplicações profissionais e industriais.
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