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MTD2N50ET4 MOSFET Canal N 500V TO-252 Para Fontes Chaveadas

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Código: 16219 Marca: Onsemi

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🔌 Transistor MOSFET MTD2N50ET4 TO-252 (SMD) – onsemi

O MTD2N50ET4 da onsemi é um transistor MOSFET de potência de canal N, desenvolvido para aplicações de chaveamento em alta tensão e controle de energia em circuitos eletrônicos. Com tensão dreno-fonte de até 500 V e corrente contínua de dreno de até 2 A, o componente é indicado para projetos que exigem capacidade de bloqueio de alta tensão e comutação eficiente.

O dispositivo apresenta resistência de condução (RDS(on)) de até 3,6 Ω, além de diodo interno entre fonte e dreno com recuperação rápida, recurso que favorece aplicações em circuitos de potência e conversores eletrônicos. Também possui energia de avalanche especificada, contribuindo para o projeto de sistemas de chaveamento sujeitos a transientes elétricos.

Seu encapsulamento TO-252 (DPAK), com três terminais, permite montagem em superfície (SMD/SMT), facilitando a integração em placas de circuito impresso e contribuindo para a dissipação térmica conforme as condições de montagem.

📋 ESPECIFICAÇÕES TÉCNICAS

Fabricante: onsemi
Modelo: MTD2N50ET4
Tipo: Transistor MOSFET de potência
Canal: N-Channel (canal N)
Tensão dreno-fonte máxima (VDS): 500 V
Corrente contínua de dreno (ID): 2 A
Corrente de dreno a 100 °C: 1,5 A
Resistência máxima de condução (RDS(on)): 3,6 Ω
Tensão máxima porta-fonte (VGS): ±20 V
Corrente de dreno pulsada: 6 A
Energia de avalanche não repetitiva: 100 mJ
Temperatura de operação e armazenamento: -55 °C a +150 °C
Encapsulamento: TO-252 (DPAK)
Número de terminais: 3
Tipo de montagem: SMD / SMT

⚙️ APLICAÇÕES

Indicado para circuitos eletrônicos de potência que necessitam de chaveamento em alta tensão, incluindo:

Fontes de alimentação chaveadas
Conversores de potência
Circuitos de controle PWM
Controle de motores
Circuitos de ponte e chaveamento
Sistemas de gerenciamento de energia
Equipamentos eletrônicos industriais

📄 DATASHEET

Baixar datasheet oficial do MTD2N50ET4 – PDF

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